[發明專利]氣體供給裝置、處理裝置、處理方法無效
| 申請號: | 201110276045.8 | 申請日: | 2009-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN102339745A | 公開(公告)日: | 2012-02-01 |
| 發明(設計)人: | 津田榮之輔 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/31 | 分類號: | H01L21/31;C23C16/455;H01L21/205;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 李偉;閻文君 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣體 供給 裝置 處理 方法 | ||
1.一種氣體供給裝置,與處理容器內的基板對置地配置,用于向所述基板供給氣體來進行氣體處理,其特征在于,
具備:
主體部,其具有用于使所述氣體流通的氣體流通空間;
氣體導入口,其設于所述主體部中的所述氣體流通空間的上游端側,用于將所述氣體導入到所述氣體流通空間;
板狀構件,其設于所述主體部的所述氣體流通空間的下游端側,具有用于將向所述氣體流通空間供給的所述氣體向所述基板供給的以同心圓狀開口的多個狹縫。
2.根據權利要求1所述的氣體供給裝置,其特征在于,在所述主體部中的所述氣體流通空間的上游側,形成沿所述氣體流通空間的軸向延伸的氣體導入路,
所述氣體導入口設于所述氣體導入路的上游側。
3.根據權利要求1所述的氣體供給裝置,其特征在于,所述狹縫按照隨著從所述板狀構件的中心部接近周緣部,其開口寬度變大的方式形成。
4.一種處理裝置,其特征在于,具備:
用于載放基板的載放臺;
在內部設有所述載放臺的處理容器;
與所述載放臺對置地設置,向所述處理容器內供給用于處理所述基板的處理氣體的氣體供給裝置;及
將所述處理容器內排氣的排氣機構,
所述氣體供給裝置具備:
主體部,其具有用于使所述氣體流通的氣體流通空間;
氣體導入口,其設于所述主體部中的所述氣體流通空間的上游端側,用于將所述氣體導入到所述氣體流通空間;
板狀構件,其設于所述主體部的所述氣體流通空間的下游端側,具有用于將向所述氣體流通空間供給的所述氣體向所述基板供給的以同心圓狀開口的多個狹縫。
5.根據權利要求4所述的處理裝置,其特征在于,還具備:
多條處理氣體用流路,其與所述氣體供給裝置的所述氣體導入口連接,用于分別供給多種處理氣體;
沖洗用氣體流路,其與所述氣體供給裝置的所述氣體導入口連接,供給沖洗用的惰性氣體;
氣體供給設備,其控制所述多條處理氣體用流路及所述沖洗用氣體流路中的氣體的供給;
控制部,其按照依次并且循環地供給所述多種處理氣體,并且在一種處理氣體的供給步驟與另一種處理氣體的供給步驟之間,進行所述惰性氣體的供給步驟的方式,控制所述氣體供給設備,
在所述基板的表面依次層疊由所述多種處理氣體的反應產物構成的層而形成薄膜。
6.一種氣體供給裝置,與處理容器內的基板對置地配置,用于向所述基板供給氣體來進行氣體處理,其特征在于,
具備:
主體部,其具有氣體流通空間,所述氣體流通空間具有縮徑端和擴徑端,并且以近似圓錐形構成,使所述氣體從所述縮徑端側向所述擴徑端側流通;
氣體導入口,其設于所述主體部中的所述氣體流通空間的所述縮徑端側,用于將所述氣體導入到所述氣體流通空間;
多個劃分構件,其設于所述主體部的所述氣體流通空間內,用于將所述氣體流通空間沿圓周方向劃分。
7.根據權利要求6所述的氣體供給裝置,其特征在于,在所述主體部中的所述氣體流通空間的上游側,形成沿所述氣體流通空間的軸向延伸的氣體導入路,
所述氣體導入口設于所述氣體導入路的上游側。
8.根據權利要求6所述的氣體供給裝置,其特征在于,所述多個劃分構件如下構成,即,邊使來自所述氣體流通空間的所述擴徑端的所述氣體形成沿所述主體部的圓周方向旋轉的渦流邊噴出。
9.根據權利要求6所述的氣體供給裝置,其特征在于,所述劃分構件從所述氣體流通空間的中心沿徑向延伸。
10.根據權利要求6所述的氣體供給裝置,其特征在于,所述劃分構件在所述氣體流通空間中從所述縮徑端延至所述擴徑端而設置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





