[發明專利]一種減少晶片表面缺陷的方法無效
| 申請號： | 201110276015.7 | 申請日： | 2011-09-16 |
| 公開（公告）號： | CN102303281A | 公開（公告）日： | 2012-01-04 |
| 發明（設計）人： | 郝彥杰;劉文森;趙波;李雪峰;張永峰;劉麗杰 | 申請（專利權）人： | 北京通美晶體技術有限公司 |
| 主分類號： | B24B37/00 | 分類號： | B24B37/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 王朋飛;張慶敏 |
| 地址： | 101113 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 減少 晶片 表面 缺陷 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種減少晶片表面缺陷的方法，其特征在于，包括如下步驟：將晶片吸附在工作盤上，下降到承載拋光藥液的拋光墊上，進行拋光反應，將拋光反應的溫度控制在10-20℃之間。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，將所述拋光反應的溫度控制在12-18℃之間。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，將所述拋光反應的溫度控制在16±1℃。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，通過控制拋光藥液和/或貼附拋光墊的拋光機下盤的溫度來控制拋光反應的溫度。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，將所述拋光藥液和/或拋光機下盤的溫度控制在10-20℃之間。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，將所述拋光藥液和/或拋光機下盤的溫度控制在12-18℃之間。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，將所述拋光藥液和/或拋光機下盤的溫度控制在16±1℃。
8.根據權利要求1-7任一項所述的方法，其特征在于，采用冰浴控制拋光反應、拋光藥液和/或拋光機下盤的溫度。
9.根據權利要求1-7任一項所述的方法，其特征在于，采用循環冷卻水控制拋光反應、拋光藥液和/或拋光機下盤的溫度。
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