[發明專利]半導體發光元件搭載用基板以及使用其的半導體發光裝置

無效

• 申請號: 201110275926.8
• 申請日: 2011-09-07
• 公開（公告）號: CN102403437A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 和島峰生;三輪崇夫;和田山芳英;珍田聰;高畑一博;川野邊直;岡部則夫;豬野昌信;大熊晃
• 申請（專利權）人: 日立電線株式會社;日立電線精密株式會社
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/60
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;於毓楨

1.一種半導體發光元件搭載用基板，其特征在于，具備：

基材，其包含金屬部分；以及

鋁反射層，其厚度為0.02μm～5μm，且設在所述基材的搭載有半導體發光元件的面側。

2.根據權利要求1所述的半導體發光元件搭載用基板，其中，所述基材和所述鋁反射層之間設有含有鈦的金屬層。

3.根據權利要求1或2所述的半導體發光元件搭載用基板，其中，

在所述基材和所述鋁反射層之間設有由Ag以外的金屬構成的第1金屬層，

所述第1金屬層由選自鈀、金、錫、鎳、銅-錫合金、銅-鎳合金、鐵-鎳合金中的一種構成，

所述鋁反射層設在所述第1金屬層的至少一部分。

4.根據權利要求1或2所述的半導體發光元件搭載用基板，其中，在所述基材和所述鋁反射層之間從所述基材側起依次設有鎳層和鈀層。

5.根據權利要求4所述的半導體發光元件搭載用基板，其中，在所述鈀層和所述鋁反射層之間設有金薄鍍層。

6.一種半導體發光元件搭載用基板，其特征在于，具備：

基材，其包含金屬部分；

銀層或銀合金層，其厚度為0.01μm～5μm，且設在所述基材的搭載有半導體發光元件的面側；

鋁反射層，其厚度為0.006μm～2μm，且設在所述銀層或銀合金層上。

7.根據權利要求6所述的半導體發光元件搭載用基板，其中，

在所述基材和所述銀層或銀合金層之間設有由Ag以外的金屬構成的第1金屬層，

所述第1金屬層由選自鈀、金、錫、鎳、銅-錫合金、銅-鎳合金、鐵-鎳合金中的一種構成，

所述鋁反射層介由所述銀層或銀合金層而設在所述第1金屬層的至少一部分。

8.根據權利要求6或7所述的半導體發光元件搭載用基板，其中，在所述銀層或銀合金層與所述鋁反射層之間設有金薄鍍層。

9.根據權利要求6所述的半導體發光元件搭載用基板，其中，在所述銀層或銀合金層與所述鋁反射層之間設有含鈦的金屬層，

所述鋁反射層具有0.02μm～2μm的厚度。

10.根據權利要求1～9中任一項所述的半導體發光元件搭載用基板，其中，在最表面設有鍍金層。

11.根據權利要求1～10中任一項所述的半導體發光元件搭載用基板，其中，所述鋁反射層的雜質碳濃度為1×10¹⁴個/cm³～1×10²⁰個/cm³。

12.根據權利要求1～10中任一項所述的半導體發光元件搭載用基板，其中，所述鋁反射層的反射率為90％～98％。

13.一種半導體發光裝置，其特征在于，具備：

權利要求1～12中任一項所述的半導體發光元件搭載用基板；

半導體發光元件，其搭載于所述半導體發光元件搭載用基板上；

外圍器部分，其包圍所述半導體發光元件搭載用基板的一部分，在所述半導體發光元件的周圍具有由傾斜面或垂直面形成的凹部，所述傾斜面隨著從所述半導體發光元件搭載用基板離開而從所述半導體發光元件離開；

透光性樹脂部，其填充在所述外圍器部分的所述凹部而密封所述半導體發光元件。

14.根據權利要求13所述的半導體發光裝置，其中，所述半導體發光元件搭載于所述基材上形成的所述鋁反射層上，并與未形成所述鋁反射層且與所述鋁反射層電絕緣的供電用端子引線接合或內部引線接合。

15.根據權利要求13所述的半導體發光裝置，其中，所述鋁反射層的雜質碳濃度為1×10¹⁴個/cm³～1×10²⁰個/cm³。

16.根據權利要求13所述的半導體發光裝置，其中，作為所述供電用端子而引線接合或內部引線接合的所述基材的表面的主要的構成材料是選自金、銀、鈀、金合金、銀合金或鈀合金中的一種、或其組合。