[發(fā)明專利]金屬筒內(nèi)壁的耐磨層離子真空鍍膜方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110275903.7
• 申請日: 2011-09-19
• 公開（公告）號: CN102321870A
• 公開（公告）日: 2012-01-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王敬達(dá)
• 申請（專利權(quán)）人: 王敬達(dá)
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責(zé)任公司 32112
• 代理人: 陳建和

1.金屬筒內(nèi)壁的耐磨層離子真空鍍膜方法，其特征是將金屬筒兩端部設(shè)有絕緣密封隔離的金屬筒端蓋，在端蓋上設(shè)有抽真空管和加熱電源輸入端口使金屬筒內(nèi)滿足真空和鍍膜時的溫度條件，筒風(fēng)設(shè)有施加偏壓電極的輔助陽極，空心或?qū)嵭闹鶢畎胁奈挥谕驳闹行摹胁纳鲜┘踊≡措娫?，金屬筒接弧源電源另一極，金屬筒端蓋上設(shè)有可旋轉(zhuǎn)或擺動的輔助陽極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬筒內(nèi)壁的耐磨層離子真空鍍膜方法，其特征是設(shè)有旋轉(zhuǎn)密封裝置，絕緣支架及屏蔽罩、輔助陽極、旋轉(zhuǎn)式換向器接在靶管構(gòu)成的旋轉(zhuǎn)軸上，旋轉(zhuǎn)軸端設(shè)有旋轉(zhuǎn)密封；設(shè)有減速電機(jī)傳動齒輪副裝在旋轉(zhuǎn)軸端驅(qū)動旋轉(zhuǎn)軸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬筒內(nèi)壁的耐磨層離子真空鍍膜方法，其特征是靶材的兩端均施加獨立工作的弧源電源，每個弧源電源分別進(jìn)行電壓高低的控制，即弧源電源電壓高低的變化分別施加于靶柱的兩端，筒內(nèi)柱狀靶材二端分別由弧源施加電源提供電壓引弧。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬筒內(nèi)壁的耐磨層離子真空鍍膜方法，其特征是鍍鈦金、玫瑰金和黑鈦的鍍溫（℃）分別是90-120、110=130、140-160。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的金屬筒內(nèi)壁的耐磨層離子真空鍍膜方法，其特征是在一個或兩個金屬筒端蓋上均設(shè)有真空抽吸孔，或在一個或兩個金屬筒端蓋上均設(shè)有工作氣體的輸入孔。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬筒內(nèi)壁的耐磨層離子真空鍍膜方法，其特征是金屬筒兩端部設(shè)有絕緣密封隔離的二個端蓋，在金屬筒構(gòu)成工作室，金屬筒內(nèi)設(shè)有啟動電弧的氣缸點弧器、金屬筒接真空抽氣口、真空計、測溫孔，在端蓋中央設(shè)靶柱，設(shè)有弧源電源，弧源電源連接靶柱的兩端，筒內(nèi)設(shè)有輔助陽極及電源。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬筒內(nèi)壁的耐磨層離子真空鍍膜方法，其特征是靶柱為中空靶管，靶管表面設(shè)有工作氣體出氣孔或通氣孔。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬筒內(nèi)壁的耐磨層離子真空鍍膜方法，其特征是將加熱器裝在筒內(nèi)，或在金屬筒外壁包裹加熱裝置加熱。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬筒內(nèi)壁的耐磨層離子真空鍍膜方法，其特征是包括靶材或空管靶材的兩端均可施加獨立工作的弧源電源，每個弧源電源分別進(jìn)行電壓高低的控制，即弧源電源電壓高低的的變化分別施加于靶材的兩端，金屬筒端蓋上設(shè)有電機(jī)驅(qū)動的旋轉(zhuǎn)臂控制可旋轉(zhuǎn)的輔助陽極，并設(shè)有輔助陽極旋轉(zhuǎn)控制器輔助陽極進(jìn)行旋轉(zhuǎn)控制，速度在每分鐘1轉(zhuǎn)至半轉(zhuǎn)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬筒內(nèi)壁的耐磨層離子真空鍍膜方法，其特征是絕緣密封隔離墊的金屬筒端蓋裝在金屬筒兩端，通過筒的端部外側(cè)裝有夾具進(jìn)行，或通過設(shè)有金屬筒兩端蓋的收緊螺桿螺母。