[發明專利]離子真空鍍膜方法與裝置

無效

• 申請號: 201110274961.8
• 申請日: 2011-09-16
• 公開（公告）號: CN102321869A
• 公開（公告）日: 2012-01-18
• 發明（設計）人: 王敬達
• 申請（專利權）人: 王敬達
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 陳建和

1.一種離子真空鍍膜方法，其特征是靶材的兩端均施加獨立工作的弧源電源，每個弧源電源分別進行電壓高低或弧源電流大小的控制，即弧源電源電壓高低或弧源電流大小的的變化分別施加于靶材的兩端。

2.根據權利要求1所述的離子真空鍍膜方法，其特征是每只弧源電源均以相同周期的方式進行電流大小的強弱變化控制，且靶材一端弧源電源電壓最高或電流最大時，靶材另一端施加的弧源電源電壓低。

3.根據權利要求1或2所述的離子真空鍍膜方法，其特征是根據靶材兩端施加的弧源電源電壓的高低或弧源電源電流大小的控制，離子引弧能夠均勻或任意方式移動，控制靶材每處引弧的離子量；采取可控硅電壓調節器的電源調節設備，以微處理器控制的方式對可控硅進行調節。

4.根據權利要求1或2所述的離子真空鍍膜方法，其特征是靶材施加的電壓或電流大小自動進行均勻速度的控制，電弧均勻移動，可以通過最大絕對電壓進行控制獲得不同的離子束，離子細膩可保證離子鍍層的細膩和鍍層和結合層的質量，同時結合施加的氮氣或烴類氣體的量對施加的弧源電源的最高電壓和變化的強弱周期。

5.根據權利要求1或2所述的離子真空鍍膜方法，其特征是在靶材兩端均施加獨立工作的弧源電源，每個弧源電源分別進行電流大小的控制，即弧源電源電流大小的變化分別施加于靶材的兩端，如果工件不均勻分布，控制需要離子束量的區域施加高一些的電壓，得到大一些電流，跑弧的離子增加。

6.根據權利要求1或2所述的離子真空鍍膜方法，其特征是每只電源進行強弱變化進行調節，均以相同周期的方式進行調節，采取可控硅電壓調節器的電源調節設備或以微處理器控制的方式對可控硅進行調節。

7.根據權利要求1或2所述的離子真空鍍膜方法，其特征是每根靶材均采用圓柱形實心靶材。

8.根據權利要求1或2所述的離子真空鍍膜方法，其特征是對一平板進行均勻鍍膜，采用一只柱狀靶，平面板卷成筒狀，柱狀靶位于筒的柱心位置，則每只電源均以相同周期的方式進行強弱變化，且靶材一端弧源電源電壓最高時，靶材另一端施加的弧源電源電壓則低。

9.根據權利要求1或2所述的離子真空鍍膜方法，其特征是平面板卷成筒狀為臥式。