[發明專利]位于基板上的元件區域以及設計元件布局的方法有效
| 申請號: | 201110274859.8 | 申請日: | 2011-09-09 |
| 公開(公告)號: | CN102403312A | 公開(公告)日: | 2012-04-04 |
| 發明(設計)人: | 藍麗嬌;陶昌雄;李政宏;陸崇基;鄭宏正;文特·克瑪·阿葛偉;金妡锳;趙炳潤 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L21/82;G06F17/50 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 劉曉飛;張龍哺 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 位于 基板上 元件 區域 以及 設計 布局 方法 | ||
1.一種位于基板上的元件區域,包括:
一邊緣元件,該邊緣元件的一側至少有一有用的元件;
一虛擬元件,與該邊緣元件相鄰,該虛擬元件位于該邊緣元件的另一側,與上述有用的元件不同側,且該虛擬元件與該邊緣元件共用一擴散區域以降低該邊緣元件的擴散長度與邊緣效應的影響;以及
一虛擬柵極結構,與該虛擬元件相鄰,該虛擬柵極結構以及該虛擬元件的柵極結構需遵守該邊緣元件的設計規則。
2.根據權利要求1所述位于基板上的元件區域,其中該邊緣元件及該虛擬元件為N型金屬氧化物半導體元件,且該虛擬元件的柵極結構與Vss連接以關閉該虛擬元件。
3.根據權利要求1所述位于基板上的元件區域,其中該邊緣元件及該虛擬元件為P型金屬氧化物半導體元件,且該虛擬元件的柵極結構與Vdd連接以關閉該虛擬元件。
4.根據權利要求1所述位于基板上的元件區域,其中該邊緣元件、該虛擬元件以及該可用元件中至少之一的柵極長度小于35納米。
5.根據權利要求1所述位于基板上的元件區域,其中該虛擬柵極的柵極結構被一設計規則定義為虛擬柵極結構,且該設計規則允許于該元件區域少放置一額外虛擬結構。
6.一種位于基板上的元件區域,包括:
一第一元件,該第一元件包括一第一柵極長度;
一第二元件,該第二元件包括一第二柵極長度,且該第二柵極長度與該第一柵極長度不同;以及
位于該第一元件及該第二元件中間的一虛擬元件,其中無其他元件位于該第一元件與該虛擬元件之間,且無其他元件位于該第二元件與該虛擬元件之間,且該虛擬元件與該第一元件共用一第一擴散區域,并與該第二元件共用一第二擴散區域,以降低該第一元件及該第二元件受到擴散長度與邊緣效應的影響。
7.根據權利要求6所述位于基板上的元件區域,其中該第一元件及該第二元件的柵極長度至少有一者與該虛擬元件的柵極長度與相同。
8.根據權利要求6所述位于基板上的元件區域,其中該第一元件以及該第二元件的柵極長度小于35納米。
9.一種位于基板上的一元件區域,包括:
一第一元件,該第一元件的一側包括一非長方形擴散區域;
一第二元件,該第二元件包括一鄰近該第一元件的第二元件擴散區域,其中該第二元件擴散區域寬度與該第一元件非長方形擴散區域的單一或多個寬度不相同;以及
位于該第一元件及該第二元件中間的一虛擬元件,其中無其他元件位于該第一元件與該虛擬元件之間,且無其他元件位于該第二元件與該虛擬元件之間,該虛擬元件與該第一元件共用該非長方形擴散區域,并與相鄰于該第一元件的該第二元件共用該第二元件擴散區域,以降低該第一元件及該第二元件受到擴散長度與邊緣效應的影響。
10.一種設計元件布局的方法,包括:
設計多個元件的柵極結構與擴散區域的布局;
從所述多個元件中辨識出邊緣元件;以及
加入一虛擬元件與該邊緣元件相鄰,及加入一虛擬柵極結構與該虛擬元件相鄰,其中該虛擬元件與該邊緣元件共用一擴散區域以降低該邊緣元件的擴散長度與邊緣效應所造成的問題,且該虛擬元件的柵極結構被視為須符合設計規則需求而在邊緣元件旁邊加入的兩虛擬柵極結構其中之一。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





