[發(fā)明專利]用于生產(chǎn)細硅棒的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110274307.7
• 申請日: 2011-09-15
• 公開（公告）號: CN102432018A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 漢斯·沃赫納;沃爾特·哈克爾
• 申請（專利權(quán)）人: 瓦克化學(xué)股份公司
• 主分類號: C01B33/035
• 分類號: C01B33/035
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 李丙林;張英

1.一種用于生產(chǎn)細硅棒(1)的方法，包括以下步驟：

a)提供多晶硅棒，從所述多晶硅棒分離至少兩個細棒(11、12)，所述細棒與所述多晶硅棒相比具有減小的橫截面；

b)通過用材料腐蝕性液體介質(zhì)處理，清洗經(jīng)分離的所述至少兩個細棒(11、12)；

c)焊接經(jīng)清洗的所述至少兩個細棒(11、12)以形成較長的細棒(1)；

d)將所述較長的細棒(1)包裝在管狀膜(100)中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在焊接所述至少兩個細棒(11、12)以形成較長的細棒(1)之后且在包裝所述較長的細棒(1)之前，進行第二清洗，在所述第二清洗中，用材料腐蝕性液體介質(zhì)處理所述較長的細棒(1)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，根據(jù)步驟b)以及在對所述較長的細棒(1)的所述第二清洗中，用于處理所述細棒(11、12)的液體介質(zhì)包含HF和HNO₃。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其中，在根據(jù)步驟b)清洗之后，進行所述細棒(11、12)的親水化，且在所述第二清洗后，通過臭氧進行所述較長的細棒(1)的親水化。

5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項所述的方法，其中，在用材料腐蝕性液體介質(zhì)處理所述較長的細棒(1)中，材料腐蝕小于10μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的方法，其中，在根據(jù)步驟b)通過用材料腐蝕性液體介質(zhì)處理所述細棒(11、12)的清洗中，材料腐蝕分別為至少10μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求2至6中任一項所述的方法，其中，對所述較長的細棒(1)的所述第二清洗在包含材料腐蝕性液體介質(zhì)的槽(5)中進行，所述槽(5)在兩個端面上分別具有開口(51)和(52)，所述較長的細棒(1)逐漸通過所述開口以對其進行清洗，沿著所述較長的細棒(1)通過所述開口(51)和(52)流出的材料腐蝕性液體介質(zhì)收集在布置于所述槽(5)下方的收集槽(7)中，并泵回到所述槽(5)中。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，在所述較長的細棒(1)通過所述槽(5)且在干燥所述較長的細棒(1)之后，將其引入膜管(100)中進行包裝。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的方法，其中，焊接經(jīng)分離的所述至少兩個細棒(11、12)以形成較長的細棒(1)，在惰性氣氛中通過感應(yīng)焊接進行。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，布置在石英封裝的碳管(4)上方的感應(yīng)線圈(3)分別加熱所述細棒(11)和(12)的一端至高于硅的熔融溫度，由此形成硅液滴，并且在幾分鐘后關(guān)閉所述感應(yīng)線圈(3)，所述細棒(11)和(12)熔合形成所述較長的細棒(1)。