[發(fā)明專利]封裝基板及使用該封裝基板的模塊和電氣/電子裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110274247.9
• 申請(qǐng)日: 2011-09-15
• 公開（公告）號(hào): CN102412209A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 花邊充廣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): H01L23/14
• 分類號(hào): H01L23/14;H01L23/498
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 武玉琴;陳桂香

1.一種封裝基板，其包括：

第一導(dǎo)電層，其形成在所述封裝基板的第一主面上，所述第一導(dǎo)電層具有多個(gè)第一端子圖案部分，所述多個(gè)第一端子圖案部分通過多個(gè)第一外部連接導(dǎo)體與裝載在所述第一主面上的半導(dǎo)體部件連接；

第二導(dǎo)電層，其形成在所述封裝基板的第二主面上，所述第二導(dǎo)電層具有多個(gè)第二端子圖案部分，所述多個(gè)第二端子圖案部分通過第二外部連接導(dǎo)體與安裝在所述第二主面上的系統(tǒng)基板連接，所述第二主面與所述第一主面相對(duì)；

中間導(dǎo)電層，其形成在所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間；

層間絕緣層，其形成在所述第一導(dǎo)電層與所述中間導(dǎo)電層之間以及所述第二導(dǎo)電層與所述中間導(dǎo)電層之間；以及

多個(gè)層間連接導(dǎo)體，其貫穿所述層間絕緣層，所述多個(gè)層間連接導(dǎo)體層疊成用于所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層之間的連接，

其中，所述第一端子圖案部分、所述第一外部連接導(dǎo)體、所述層間連接導(dǎo)體、所述第二端子圖案部分和所述第二外部連接導(dǎo)體相連接，

形成用于連接所述半導(dǎo)體部件與所述系統(tǒng)基板的電流路徑，且

位于與中心部分區(qū)域相對(duì)應(yīng)的位置的所述電流路徑具有高電阻，位于與所述中心部分區(qū)域外部的外圍區(qū)域相對(duì)應(yīng)的位置的所述電流路徑具有低電阻，所述中心部分區(qū)域包括上面裝載有所述半導(dǎo)體部件的裝載區(qū)域的中心部分。

2.如權(quán)利要求1所述的封裝基板，其中，用于驅(qū)動(dòng)所述半導(dǎo)體部件的電源電流在所述電流路徑中流動(dòng)。

3.如權(quán)利要求1所述的封裝基板，其中，用于驅(qū)動(dòng)所述半導(dǎo)體部件的接地電流在所述電流路徑中流動(dòng)。

4.如權(quán)利要求1所述的封裝基板，其中，所述封裝基板包括具有高電阻的所述層間連接導(dǎo)體，具有高電阻的所述層間連接導(dǎo)體位于與所述裝載區(qū)域相對(duì)應(yīng)的位置，所述封裝基板包括具有低電阻的所述層間連接導(dǎo)體，具有低電阻的所述層間連接導(dǎo)體位于與所述裝載區(qū)域外部的外圍區(qū)域相對(duì)應(yīng)的位置，且

所述中心部分區(qū)域?qū)?yīng)于所述裝載區(qū)域。

5.如權(quán)利要求4所述的封裝基板，其中，所述封裝基板包括多個(gè)所述中間導(dǎo)電層，在鄰近的所述中間導(dǎo)電層之間形成所述層間絕緣層。

6.如權(quán)利要求5所述的封裝基板，其中，在同一個(gè)所述層間絕緣層中，位于與所述裝載區(qū)域相對(duì)應(yīng)的位置的所述層間連接導(dǎo)體具有高電阻，位于與所述外圍區(qū)域相對(duì)應(yīng)的位置的所述層間連接導(dǎo)體具有低電阻。

7.如權(quán)利要求6所述的封裝基板，其中，所述同一個(gè)所述層間絕緣層是從所述第一導(dǎo)電層一側(cè)開始計(jì)數(shù)的第二層所述層間絕緣層。

8.如權(quán)利要求5所述的封裝基板，其中，在部分或者全部的所述層間絕緣層中，位于與所述裝載區(qū)域相對(duì)應(yīng)的位置的所述層間連接導(dǎo)體具有高電阻，位于與所述外圍區(qū)域相對(duì)應(yīng)的位置的所述層間連接導(dǎo)體具有低電阻。

9.如權(quán)利要求8所述的封裝基板，其中，從所述第一導(dǎo)電層一側(cè)開始計(jì)數(shù)的至少一個(gè)所述層間絕緣層中，位于與所述裝載區(qū)域相對(duì)應(yīng)的位置的所述層間連接導(dǎo)體具有高電阻，位于與所述外圍區(qū)域相對(duì)應(yīng)的位置的所述層間連接導(dǎo)體具有低電阻。

10.如權(quán)利要求5所述的封裝基板，其中，

靠近所述裝載區(qū)域并位于與所述外圍區(qū)域相對(duì)應(yīng)的位置的所述層間連接導(dǎo)體具有高電阻，且

當(dāng)從所述第一導(dǎo)電層一側(cè)開始對(duì)所述層間絕緣層的層數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)時(shí)，具有高電阻的所述層間連接導(dǎo)體的數(shù)量隨著所述層間絕緣層的層數(shù)的增加而增加。

11.如權(quán)利要求4所述的封裝基板，其中，位于與所述裝載區(qū)域相對(duì)應(yīng)的位置的所述層間連接導(dǎo)體和位于與所述外圍區(qū)域相對(duì)應(yīng)的位置的所述層間連接導(dǎo)體是由具有不同電阻的導(dǎo)電材料制成。

12.如權(quán)利要求4所述的封裝基板，其中，層疊成用于所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間連接的所述多個(gè)層間連接導(dǎo)體形成為具有層疊過孔結(jié)構(gòu)。

13.如權(quán)利要求4所述的封裝基板，其中，同一個(gè)所述層間絕緣層中的所述層間連接導(dǎo)體是填充過孔、中空過孔或通孔中的任一種。