[發(fā)明專利]透明導(dǎo)電薄膜的常溫大面積沉積生產(chǎn)工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110273475.4
• 申請(qǐng)日: 2011-09-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102290338A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-12-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周鈞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 周鈞
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/203
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/203;H01L31/18
• 代理公司: 江蘇銀創(chuàng)律師事務(wù)所 32242
• 代理人: 何震花;王紀(jì)營(yíng)

1.透明導(dǎo)電薄膜的常溫大面積沉積生產(chǎn)工藝，在真空腔體內(nèi)充入惰性氣體與其他氣體的混合氣體或僅充入為惰性氣體，通過(guò)所述混合氣體或惰性氣體氛圍內(nèi)的低壓等離子體氣體放電，在基體上形成透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于：所使用的鍍膜設(shè)備是基于非平衡磁場(chǎng)連續(xù)磁控濺射鍍膜設(shè)備，該設(shè)備的磁極之間磁場(chǎng)強(qiáng)度互不相等構(gòu)成非平衡磁場(chǎng)的布置形式；靶材與基體的距離為15-25cm；作用在沉積靶材上的沉積電流控制在40～50A，相應(yīng)的沉積電壓為390～420V；進(jìn)入真空腔體的惰性氣體流量為250～380sccm，采用混合氣體時(shí)，流入真空腔體的其他氣體的流量為流入真空腔體的惰性氣體流量的3～5%；通過(guò)所述的物理氣相沉積的工藝參數(shù)的優(yōu)化，并采用非平衡磁場(chǎng)布置形式促使形成透明導(dǎo)電薄膜的材料可以最大可能的按要求沉積在基體的表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電薄膜的常溫大面積沉積生產(chǎn)工藝，其特征在于：在所述真空腔體內(nèi)安裝可自由拆卸擋板形成雙通道。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電薄膜的常溫大面積沉積生產(chǎn)工藝，其特征在于：所述的沉積的靶材與基體之間的距離應(yīng)保持在20㎝。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電薄膜的常溫大面積沉積生產(chǎn)工藝，其特征在于：所述的惰性氣體的流量為300sccm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電薄膜的常溫大面積沉積生產(chǎn)工藝，其特征在于：所述的電壓最好為400V。