[發明專利]有機發光顯示設備有效
| 申請號: | 201110273455.7 | 申請日: | 2011-09-15 |
| 公開(公告)號: | CN102420239A | 公開(公告)日: | 2012-04-18 |
| 發明(設計)人: | 柳道亨;高春錫;金相洙 | 申請(專利權)人: | 三星移動顯示器株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 羅正云;宋志強 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示 設備 | ||
優先權要求
本申請參考早先于2010年9月24日遞交韓國知識產權局并因而被正式分配序列號No.10-2010-0092856的申請,將其合并于此,并要求其優先權和所有權益。
技術領域
本發明的一個實施例涉及有機發光顯示設備,更具體地,涉及在電源線與控制信號線之間具有改善的布局的有機發光顯示設備。
背景技術
一般而言,有機發光顯示設備包括薄膜晶體管(TFT)和有機發光二極管(OLED)。OLED從TFT接收足夠的驅動信號,發光,然后實現期望的圖像。
發明內容
本發明的實施例提供一種具有改善的結構的有機發光顯示設備,在該結構中,電源線與控制信號線之間的重疊區域被減小,從而降低了電容負載。
根據本發明的一方面,一種有機發光顯示設備可以包括:薄膜晶體管(TFT),包括柵電極、源電極和漏電極,并且第一基板包括用于驅動所述TFT的嵌入電路;面對所述第一基板的第二基板;有機發光二極管(OLED),包括電連接至所述源電極和漏電極之一的第一電極、面向所述第一電極的第二電極以及介于所述第一電極與所述第二電極之間的發射層;電源線,經由所述電源線向所述TFT的源電極和漏電極以及所述OLED的第二電極施加電壓;以及控制信號線,用于向所述嵌入電路提供控制信號,以便控制用于向所述柵電極供應電流的時序。所述控制信號線可以在所述第一基板的相對于所述電源線的位置的外部展開。
所述電源線可以包括連接至所述TFT的源電極和漏電極的第一電源線以及連接至所述OLED的第二電極的第二電源線。
所述第一電源線可以包括:第一電源輸入單元,設置在所述第二基板的頂面上,所述第二基板的頂面并不面對所述第一基板;第一穿透單元,連接至所述第一電源輸入單元,并且透過所述第二基板;第一短路單元,連接至所述第一穿透單元,并且介于所述第一基板與所述第二基板之間;以及第一連接單元,布置在所述第一基板上,以便連接所述第一短路單元以及所述TFT的源電極和漏電極。
所述有機發光顯示設備可以進一步包括圍繞所述OLED并設置在所述第一基板與所述第二基板之間的第一密封單元以及圍繞所述第一密封單元的第二密封單元,其中所述第一短路單元設置在所述第一密封單元與所述第二密封單元之間。
所述第二電源線可以包括:第二電源輸入單元,設置在所述第二基板的頂面上,所述第二基板的頂面并不面對所述第一基板;第二穿透單元,連接至所述第二電源輸入單元,并且透過所述第二基板;第二短路單元,連接至所述第二穿透單元,并且介于所述第一基板與所述第二基板之間;以及第二連接單元,布置在所述第一基板上,以便連接所述第二短路單元和所述第二電極。
所述有機發光顯示設備可以進一步包括在所述第一基板與所述第二基板之間圍繞所述OLED的第一密封單元以及圍繞所述第一密封單元的第二密封單元,其中所述第二短路單元設置在所述第一密封單元與所述第二密封單元之間。
所述第二電源線可以進一步包括從所述第二穿透單元延伸以覆蓋所述第二基板的表面的封裝單元,其中所述第二基板的表面面對所述第一基板。
所述第二基板可以包括碳板。
所述有機發光顯示設備可以進一步包括用于經由所述控制信號線向所述嵌入電路傳輸所述控制信號的驅動電路單元,以及用于連接所述驅動電路單元和所述控制信號線的連接焊盤,其中所述連接焊盤設置在所述第一基板上所述電源線的外部。
所述驅動電路單元可以通過具有介于所述驅動電路單元與所述連接焊盤之間的各向異性導電膜(AFC)而電連接至所述連接焊盤。
附圖說明
由于通過參考以下結合附圖考慮時的詳細描述,本發明變得更好理解,因此本發明的更完整理解以及伴隨本發明的諸多優點會變得更容易明顯,在附圖中相同的附圖標記指代相同或相似的部件,附圖中:
圖1是被構建為本發明實施例的有機發光顯示設備的截面圖;
圖2示出包括在圖1的有機發光顯示設備中的薄膜晶體管(TFT)和有機發光二極管(OLED)的截面圖;
圖3是圖1的部分A的放大截面圖;
圖4是圖1的部分B的放大截面圖;以及
圖5是被構建為本發明另一實施例的有機發光顯示設備的截面圖。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





