[發明專利]一種在低溫下制備納米金屬氧化物半導體薄膜電極的方法

無效

• 申請號: 201110272837.8
• 申請日: 2011-09-15
• 公開（公告）號: CN103000297A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 郭良宏;劉陽
• 申請（專利權）人: 中國科學院生態環境研究中心
• 主分類號: H01B13/00
• 分類號: H01B13/00;H01B5/14
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種在低溫下制備納米金屬氧化物半導體薄膜電極的方法，其特征在于，包括步驟：

1)將金屬氧化物納米材料放入去離子水中，加入非離子型表面活性劑，超聲震蕩9-11分鐘，得到金屬氧化物溶膠；

2)選擇表面光滑的平面導電材料，并先后用有機溶劑和純水超聲清洗，備用；

3)取一定體積的金屬氧化物溶膠，滴加在2)步中處理的導體材料表面，使之均勻涂覆，并自然晾干；

4)將金屬氧化物覆蓋的導體材料放入馬弗爐中，在低溫下煅燒≥2小時，得到納米金屬氧化物半導體薄膜電極。

2.根據權利要求1所述的制備納米金屬氧化物半導體薄膜電極的方法，其特征在于，所述步驟1)的金屬氧化物納米材料，其中的金屬氧化物，是二氧化鈦、二氧化錫、氧化鋅或氧化亞銅其中之一。

3.根據權利要求1所述的制備納米金屬氧化物半導體薄膜電極的方法，其特征在于，所述步驟1)的金屬氧化物納米材料，其中的納米材料，是納米顆粒、納米線、納米棒、納米管或納米薄片其中之一，或它們的組合。

4.根據權利要求1所述的制備納米金屬氧化物半導體薄膜電極的方法，其特征在于，所述步驟1)的非離子型表面活性劑，其中的表面活性劑，是曲拉通X-100、吐溫-20或聚乙二醇其中之一，或它們的組合。

5.根據權利要求1所述的制備納米金屬氧化物半導體薄膜電極的方法，其特征在于，所述步驟1)的非離子型表面活性劑，其中的表面活性劑濃度，在0.1％-1％之間。

6.根據權利要求1所述的制備納米金屬氧化物半導體薄膜電極的方法，其特征在于，所述步驟1)中金屬氧化物溶膠的濃度在1％-10％之間。

7.根據權利要求1所述的制備納米金屬氧化物半導體薄膜電極的方法，其特征在于，所述步驟3)中一定體積的溶膠，其滴涂比為5-20uL/cm²；使之均勻涂覆，是利用刀片刮膜或甩膠機均勻涂覆。

8.根據權利要求1所述的制備納米金屬氧化物半導體薄膜電極的方法，其特征在于，所述步驟4)的低溫煅燒，其煅燒溫度在80-200℃之間。