[發明專利]一種發光二極管及其制造方法

無效

• 申請號: 201110272820.2
• 申請日: 2011-09-16
• 公開（公告）號: CN102420276A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發明（設計）人: 高成
• 申請（專利權）人: 協鑫光電科技（張家港）有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;姜精斌

1.一種發光二極管，其特征在于，包括：

第一半導體層、和位于所述第一半導體層上方的第二半導體層；

夾設在所述第一半導體層和第二半導體層之間的多量子阱層；

且所述多量子阱層包括分立的至少兩個多量子阱結構，其中至少兩個相鄰的多量子阱結構形成有沿層高方向上的第一側面和第二側面，其中，所述第一側面是多量子阱結構與所述第一半導體層接觸的側面，所述第二側面是多量子阱結構與所述第二半導體層接觸的側面。

2.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，

所述第一半導體層為用于提供第一類型載流子的半導體層，所述第二半導體層為本征半導體層，所述發光二極管還包括：形成在所述第二半導體層的上表面、用于提供第二類型載流子的第三半導體層。

3.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，

所述第二半導體層為用于提供第二類型載流子的半導體層，所述第一半導體層為本征半導體層，所述發光二極管還包括：用于提供第一類型載流子的第四半導體層，所述第一半導體層形成在所述第四半導體層的上表面。

4.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，

所述第一半導體層為用于提供第一類型載流子的半導體層，所述第二半導體層為用于提供第二類型載流子的半導體層。

5.如權利要求4所述的發光二極管，其特征在于，

所述至少兩個多量子阱結構中，相鄰的多量子阱結構相互連接，以阻斷所述第一半導體層和所述第二半導體層之間的直接接觸。

6.如權利要求4所述的發光二極管，其特征在于，還包括：

襯底，所述第一半導體層沉積在所述襯底之上；

與所述第一半導體層連接的第一電極；以及

與所述第二半導體層連接的第二電極。

7.如權利要求2至4任一項所述的發光二極管，其特征在于，

在相鄰的多量子阱結構中的第一多量子阱結構的上表面的高度低于所述相鄰的多量子阱結構中的第二多量子阱結構的下表面的高度時，

在所述第一多量子阱結構的上表面與所述第二半導體層之間還形成有第七半導體層，所述第七半導體層為本征半導體層，且其厚度大于等于第二多量子阱結構的下表面與第一多量子阱結構的上表面之間的高度差，小于第二多量子阱結構的上表面與所述第一多量子阱結構的上表面之間的高度差；和/或

在所述第二多量子阱結構的下表面與所述第一半導體層之間還形成有第八半導體層，所述第八半導體層為本征半導體層，且其厚度大于等于第二多量子阱結構的下表面與第一多量子阱結構的上表面之間的高度差，小于第二多量子阱結構的下表面與所述第一多量子阱結構的下表面之間的高度差。

8.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，

所述第一半導體層和第二半導體層均為本征半導體層；

所述發光二極管還包括：

用于提供第一類型載流子的第五半導體層和用于提供第二類型載流子的第六半導體層；其中，所述第一半導體層形成在所述第五半導體層的上表面，所述第六半導體層形成在所述第二半導體層的上表面。

9.如權利要求1至6任一項所述的發光二極管，其特征在于，

所述第一半導體層包括至少兩個具有不同厚度的分區，所述多量子阱層形成在所述第一半導體層的上表面，以使得所述多量子阱層分立成所述至少兩個多量子阱結構，且所述第一半導體層的上表面為階梯狀的臺階面。

10.如權利要求1至6任一項所述的發光二極管，其特征在于，

所述第一半導體層的上表面形成有垂直突出的凸起部和/或垂直凹陷的凹槽，所述多量子阱層形成在所述第一半導體層的上表面上，以使得所述多量子阱層分立成所述至少兩個多量子阱結構。