[發明專利]半導體攝像裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201110272722.9
• 申請日: 2011-09-15
• 公開（公告）號: CN102468312A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: 小池英敏
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 楊謙;胡建新

1.一種半導體攝像裝置，具有像素區域和非像素區域，其特征在于，具備：

第一光電變換元件，形成于上述像素區域；

第一晶體管，形成于上述像素區域，與上述第一光電變換元件連接；

第二光電變換元件，形成于上述非像素區域；

第二晶體管，形成于上述非像素區域，與上述第二光電變換元件連接；

金屬布線，至少形成于上述非像素區域；

第一覆蓋層，形成于上述金屬布線之上，防止包含在上述金屬布線中的金屬的擴散；以及

虛擬導通布線，形成于上述非像素區域，貫穿上述第一覆蓋層。

2.如權利要求1所述的半導體攝像裝置，其特征在于，

上述非像素區域是虛擬像素區域或黑基準區域。

3.如權利要求1所述的半導體攝像裝置，其特征在于，

在上述第一光電變換元件的上方，沒有形成上述金屬布線和上述第一覆蓋層。

4.如權利要求1所述的半導體攝像裝置，其特征在于，

還具備：

層間絕緣膜，形成于上述第一覆蓋層之上；

上述虛擬導通布線形成于在上述第一覆蓋層和上述層間絕緣膜形成的導通孔內。

5.如權利要求4所述的半導體攝像裝置，其特征在于，

還具備：

第二覆蓋層，形成于上述層間絕緣膜之上，在上述虛擬導通布線的上方具有開口。

6.如權利要求5所述的半導體攝像裝置，其特征在于，

在上述第一光電變換元件的上方，沒有形成上述第二覆蓋層。

7.如權利要求5所述的半導體攝像裝置，其特征在于，

上述第二覆蓋層由氮化硅膜或碳化硅膜形成。

8.如權利要求4所述的半導體攝像裝置，其特征在于，

上述層間絕緣膜由氧化硅膜形成。

9.如權利要求1所述的半導體攝像裝置，其特征在于，

上述第一覆蓋層由氮化硅膜或碳化硅膜形成。

10.如權利要求1所述的半導體攝像裝置，其特征在于，

上述金屬布線由銅形成。

11.如權利要求1所述的半導體攝像裝置，其特征在于，

上述虛擬導通布線由銅形成。

12.如權利要求1所述的半導體攝像裝置，其特征在于，

上述虛擬導通布線與上述金屬布線連接。

13.如權利要求1所述的半導體攝像裝置，其特征在于，

上述虛擬導通布線在電路動作中不被使用。

14.一種半導體攝像裝置的制造方法，該半導體攝像裝置具有像素區域和非像素區域，該半導體攝像裝置的制造方法的特征在于，具備：

在上述像素區域形成第一光電變換元件及與上述第一光電變換元件連接的第一晶體管，在上述非像素區域形成第二光電變換元件及與上述第二光電變換元件連接的第二晶體管的工序；

至少在上述非像素區域形成金屬布線的工序；

在上述金屬布線之上形成防止包含在上述金屬布線中的金屬的擴散的第一覆蓋層的工序；以及

在上述非像素區域形成貫穿上述第一覆蓋層的虛擬導通布線的工序。

15.如權利要求14所述的半導體攝像裝置的制造方法，其特征在于，

上述非像素區域是虛擬像素區域或黑基準區域。

16.如權利要求14所述的半導體攝像裝置的制造方法，其特征在于，

在形成上述金屬布線時，在上述第一光電變換元件的上方不形成上述金屬布線；

在形成上述第一覆蓋層時，在上述第一光電變換元件的上方不形成上述第一覆蓋層。

17.如權利要求14所述的半導體攝像裝置的制造方法，其特征在于，

還具備在上述第一覆蓋層之上形成層間絕緣膜的工序；

上述虛擬導通布線形成于在上述第一覆蓋層和上述層間絕緣膜形成的導通孔內。