[發(fā)明專(zhuān)利]敏感光阻耐受程度檢測(cè)方法及晶圓缺陷檢驗(yàn)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110272691.7
• 申請(qǐng)日: 2011-09-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102435547A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王愷;陳宏璘;倪棋梁;龍吟;郭明升;朱陸軍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01N17/00
• 分類(lèi)號(hào): G01N17/00;G01N21/88
• 代理公司: 上海新天專(zhuān)利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種敏感光阻耐受程度檢測(cè)方法，其特征在于，包括以下步驟：

???步驟1，將敏感光阻置于試驗(yàn)片中，并建立對(duì)其的深紫外光源掃描程式；

???步驟2，選定測(cè)試掃描區(qū)域；

???步驟3，對(duì)選定區(qū)域掃描；

步驟4，檢查敏感光阻圖形是否發(fā)生變化；

步驟5，如敏感光阻圖形無(wú)變化，則繼續(xù)掃描，如有變化，則記錄深紫外光源程式對(duì)所選區(qū)域的掃描次數(shù)；

???步驟6，將步驟4所得掃描次數(shù)記錄為所述敏感光阻的最大耐受掃描次數(shù)。

2.如權(quán)利要求1所述的敏感光阻耐受程度檢測(cè)方法，其特征在于，所述深紫外光源的波長(zhǎng)為260nm~300nm。

3.一種應(yīng)用如權(quán)利要求1或2所述的方法進(jìn)行晶圓缺陷檢驗(yàn)的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1，確定晶圓中所需檢驗(yàn)的敏感光阻；

步驟2，應(yīng)用權(quán)利要求1所述的方法檢測(cè)步驟1中所述敏感光阻，得到所述敏感光阻的最大耐受掃描次數(shù)；

步驟3，調(diào)整深紫外光源缺陷掃描設(shè)備在掃描過(guò)程中經(jīng)過(guò)晶圓中所述敏感光阻所在區(qū)域的最大掃描次數(shù)，使得最大掃描次數(shù)小于所述敏感光阻的最大耐受掃描次數(shù)。

4.如權(quán)利要求3所述的晶圓缺陷檢驗(yàn)的方法，其特征在于，所述深紫外光源缺陷掃描設(shè)備的深紫外光源的波長(zhǎng)為260nm~300nm。