[發明專利]SiC單晶的生長方法和由該方法生長的SiC單晶無效
| 申請號： | 201110272676.2 | 申請日： | 2005-05-13 |
| 公開（公告）號： | CN102337587A | 公開（公告）日： | 2012-02-01 |
| 發明（設計）人： | 木本恒暢;鹽見弘;齊藤廣明 | 申請（專利權）人： | 豐田自動車株式會社;住友電氣工業株式會社 |
| 主分類號： | C30B25/02 | 分類號： | C30B25/02;C30B25/20;C30B29/36;C23C16/32 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 郇春艷;樊衛民 |
| 地址： | 日本愛知*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | sic 生長 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種低缺陷、低雜質的SiC單晶生長方法，包括在使4H-SiC單晶襯底的外延生長面相對于4H-SiC單晶的(0001)面在<11-20>軸方向上以至少12度且不超過18度的偏角傾斜的同時通過化學氣相淀積(CVD)在所述襯底上進行4H-SiC單晶的外延生長。
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