[發明專利]有機薄膜晶體管的制法

無效

• 申請號: 201110272066.2
• 申請日: 2011-09-09
• 公開（公告）號: CN102403460A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 梅島隆一;西山聰
• 申請（專利權）人: 株式會社小村技術
• 主分類號: H01L51/40
• 分類號: H01L51/40
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種有機薄膜晶體管的制法，其特征在于，

該有機薄膜晶體管的制法包括：在具有撓性的基材的表面上形成源電極及漏電極的工序；將在溶劑中分散有有機半導體材料的有機半導體墨保持于在表面上形成有規定圖案的墨保持部的柔性印刷版，使上述基材與該柔性印刷版貼緊，從而將墨保持部的有機半導體墨轉印到上述源電極及漏電極之上的工序；使上述轉印后的有機半導體墨的溶劑蒸發且形成用于覆蓋上述源電極及漏電極的有機半導體層的工序；在該有機半導體層上層疊由電介質構成的柵絕緣層的工序；在上述柵絕緣層上的規定位置上層疊柵電極的工序。

2.一種有機薄膜晶體管的制法，其特征在于，

該有機薄膜晶體管的制法包括：在形成在具有撓性的基材的表面上的柵電極之上層疊由電介質構成的柵絕緣層的工序；將在溶劑中分散有有機半導體材料的有機半導體墨保持于在表面上形成有規定圖案的墨保持部的柔性印刷版，使上述基材與該柔性印刷版貼緊，從而將墨保持部的有機半導體墨轉印到上述柵絕緣層上的工序；使上述轉印后的有機半導體墨的溶劑蒸發且在上述柵絕緣層的表面上形成有機半導體層的工序；在該有機半導體層上層疊規定形狀的源電極及漏電極的工序。

3.一種有機薄膜晶體管的制法，其特征在于，

該有機薄膜晶體管的制法包括：在形成在具有撓性的基材的表面上的柵電極之上層疊由電介質構成的柵絕緣層的工序；在該柵絕緣層上的規定位置上層疊源電極及漏電極的工序；將在溶劑中分散有有機半導體材料的有機半導體墨保持于在表面上形成有規定圖案的墨保持部的柔性印刷版，使上述基材與該柔性印刷版貼緊，從而將墨保持部的有機半導體墨轉印到上述源電極及漏電極上的規定位置的工序；使上述轉印后的有機半導體墨的溶劑蒸發且形成用于覆蓋上述源電極及漏電極的一部分和該源電極和漏電極之間的通道部分的有機半導體層的工序。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的有機薄膜晶體管的制法，其中，

作為上述柔性印刷版使用平版或者分辨率為400線～1270線/2.54cm的高精細印刷版。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的有機薄膜晶體管的制法，其中，

將上述柔性印刷版的肖式A硬度設定在30°～70°的范圍內。