[發(fā)明專利]雙摻雜的光觸媒材料無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110271659.7 | 申請日： | 2011-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN102989456A | 公開（公告）日： | 2013-03-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 胡振宇;莊賦祥;張淑美;陳肇和;朱維屏;王鏡竣 | 申請（專利權(quán)）人： | 大漢光電股份有限公司 |
| 主分類號： | B01J23/68 | 分類號： | B01J23/68;B01J23/66;A01N59/16;A01P1/00;A01P3/00;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 韓蕾 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 摻雜 觸媒 材料 | ||
1.一種雙摻雜的光觸媒材料，其是由光觸媒先驅(qū)物、金屬摻雜物及非金屬摻雜物的混合物通過電漿輔助化學(xué)沉積法所形成的薄膜，其中，所述金屬摻雜物及所述非金屬摻雜物均勻分布于所述光觸媒先驅(qū)物所轉(zhuǎn)換的光觸媒材料中，且所述薄膜形成于一物體上，且保留所述物體的原形地覆蓋所述物體。
2.如權(quán)利要求1所述的光觸媒材料，其中，所述光觸媒先驅(qū)物為二氧化鈦先驅(qū)物、二氧化錫先驅(qū)物、硫化鎘先驅(qū)物或氧化鎢先驅(qū)物。
3.如權(quán)利要求1所述的光觸媒材料，其中，所述二氧化鈦先驅(qū)物選自四乙氧化鈦、四異丙氧化鈦、正鈦酸四丁酯、四丁氧基鈦、鈦酸四丁酯、四氯化鈦、鈦酸丁酯所成群中的一種以上的材料。
4.如權(quán)利要求1所述的光觸媒材料，其中，所述金屬摻雜物包含選自Cu、Co、Ni、Cr、Mn、Mo、Nb、V、Fe、Ru、Au、Ag及Pt所成群中的一種以上的金屬及金屬離子。
5.如權(quán)利要求1所述的光觸媒材料，其中，所述金屬摻雜物為銀或鉑的金屬及金屬離子。
6.如權(quán)利要求1所述的光觸媒材料，其中，所述非金屬摻雜物包含選自氮、硫、碳、硼、碘及氟所成群中的一種以上的非金屬元素。
7.如權(quán)利要求1所述的光觸媒材料，其中，所述非金屬摻雜物包含氮、硫或碳的非金屬元素。
8.如權(quán)利要求1所述的光觸媒材料，其中，該光觸媒材料為半導(dǎo)體材料，通過所述金屬摻雜物及所述非金屬摻雜物摻雜于半導(dǎo)體材料中，產(chǎn)生靠近半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電帶的一第一能階、靠近半導(dǎo)體材料的價電帶的一第三能階以及介于半導(dǎo)體材料的價電帶與導(dǎo)電帶的一第二能階。
9.如權(quán)利要求1所述的光觸媒材料，其中，該光觸媒材料為半導(dǎo)體材料，通過所述金屬摻雜物及所述非金屬摻雜物摻雜于半導(dǎo)體材料中，使半導(dǎo)體材料的能帶隙變小。
10.如權(quán)利要求1所述的光觸媒材料，其中，所述電漿輔助化學(xué)沉積法是將光觸媒材料沉積的所述物體設(shè)置于電漿中，且所述物體處于浮動電位。
11.如權(quán)利要求1所述的光觸媒材料，其中，所述金屬摻雜物為銀離子，且所述金屬摻雜物先驅(qū)物為選自氟化銀、三丁基膦銀、全氟1-甲基丙烯基銀、三氟乙酸銀及三氟乙酰基丙酮銀所成群中的一種以上的化合物。
12.如權(quán)利要求11所述的光觸媒材料，其中，該雙摻雜的光觸媒材料具有光觸媒活性及抗菌效果。
13.一種雙摻雜的光觸媒材料，其是由光觸媒先驅(qū)物、金屬摻雜物及非金屬摻雜物的混合物通過電漿輔助化學(xué)沉積法所形成的多層薄膜，其中，所述金屬摻雜物及所述非金屬摻雜物均勻分布于所述光觸媒先驅(qū)物所轉(zhuǎn)換的光觸媒材料中，各層薄膜的組成互為相異且所述多層薄膜是形成于一物體上，且保留所述物體的原形地覆蓋所述物體。
14.如權(quán)利要求13所述的光觸媒材料，其中，所述光觸媒先驅(qū)物為二氧化鈦先驅(qū)物、二氧化錫先驅(qū)物、硫化鎘先驅(qū)物或氧化鎢先驅(qū)物。
15.如權(quán)利要求13所述的光觸媒材料，其中，所述二氧化鈦先驅(qū)物選自四乙氧化鈦、四異丙氧化鈦、正鈦酸四丁酯、四丁氧基鈦、鈦酸四丁酯、四氯化鈦、鈦酸丁酯所成群中的一種以上的材料。
16.如權(quán)利要求13所述的光觸媒材料，其中，所述金屬摻雜物包含選自Cu、Co、Ni、Cr、Mn、Mo、Nb、V、Fe、Ru、Au、Ag及Pt所成群中的一種以上的金屬及金屬離子。
17.如權(quán)利要求13所述的光觸媒材料，其中，所述非金屬摻雜物包含選自氮、硫、碳、硼、碘及氟所成群中的一種以上的非金屬元素。
18.如權(quán)利要求13所述的光觸媒材料，其中，該光觸媒材料為半導(dǎo)體材料，通過所述金屬摻雜物及所述非金屬摻雜物摻雜于半導(dǎo)體材料中，產(chǎn)生靠近半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電帶的一第一能階、靠近半導(dǎo)體材料的價電帶的一第三能階以及介于半導(dǎo)體材料的價電帶與導(dǎo)電帶的一第二能階。
19.如權(quán)利要求13所述的光觸媒材料，其中，所述金屬摻雜物為銀離子，且所述金屬摻雜物先驅(qū)物為選自氟化銀、三丁基膦銀、全氟1-甲基丙烯基銀、三氟乙酸銀及三氟乙酰基丙酮銀所成群中的一種以上的化合物。
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