[發(fā)明專利]一種鋰電池充電保護(hù)芯片無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110271643.6 | 申請日： | 2011-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN102355018A | 公開（公告）日： | 2012-02-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊興洲 | 申請（專利權(quán)）人： | 開源集成電路(蘇州)有限公司 |
| 主分類號： | H02J7/00 | 分類號： | H02J7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 215021 江蘇省蘇州市工業(yè)*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 鋰電池 充電 保護(hù) 芯片 | ||
1.一種鋰電池充電保護(hù)芯片，芯片上具有OUT引腳和GATDRV引腳，其特征在于，所述OUT引腳和GATDRV引腳之間連接有的鏡像電流源，所述鏡像電流源包括兩個MOS管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋰電池充電保護(hù)芯片，其特征在于，所述鏡像電流源還包括：運(yùn)算放大器，所述兩個MOS管為P溝道增強(qiáng)型MOS管；其中：
兩個P溝道增強(qiáng)型MOS管的柵極短接，源極短接到電源，一個P溝道增強(qiáng)型MOS管的漏極連接所述OUT引腳，另一個P溝道增強(qiáng)型MOS管的漏極連接所述GATDRV引腳；
所述運(yùn)算放大器的輸出端連接兩個P溝道增強(qiáng)型MOS管的柵極短接點(diǎn)，反相輸入端連接一個P溝道增強(qiáng)型MOS管的漏極，正相輸入端連接另一個P溝道增強(qiáng)型MOS管的漏極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鋰電池充電保護(hù)芯片，其特征在于，所述電源為所述鋰電池充電保護(hù)芯片的內(nèi)部電源。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋰電池充電保護(hù)芯片，其特征在于，所述MOS管為N溝道增強(qiáng)型MOS管。
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