[發明專利]發光器件、發光器件封裝及其圖像顯示裝置

有效

• 申請號: 201110271608.4
• 申請日: 2011-09-07
• 公開（公告）號: CN102403414A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 丁煥熙
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;G02F1/13357
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 夏凱;謝麗娜

1.一種發光器件，包括：

發光結構，所述發光結構包括第一導電型半導體層、有源層和第二導電型半導體層；

第一電極，所述第一電極被置放在所述第一導電型半導體層上；

歐姆層，所述歐姆層被置放在所述第二導電型半導體層上；

硅化物層，所述硅化物層被置放在所述歐姆層上并且與所述第二導電型半導體層接觸；和

導電支撐襯底，所述導電支撐襯底被置放在所述硅化物層上。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述歐姆層被置放成部分地暴露所述第二導電型半導體層，并且所述硅化物層覆蓋所述歐姆層且直接接觸所述第二導電型半導體層的至少一個暴露區域。

3.根據權利要求1或2所述的發光器件，其中所述硅化物層對應于所述第一電極地直接接觸所述第二導電型半導體層的至少一個區域。

4.根據權利要求1或2所述的發光器件，進一步包括：

電流阻擋層，所述電流阻擋層被置放在所述第二導電型半導體層和所述硅化物層之間。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的發光器件，進一步包括：

反射層，所述反射層被置放在所述歐姆層和所述硅化物層之間。

6.根據權利要求1、2、4或5中任一項所述的發光器件，其中所述硅化物層對應于所述第一電極地直接接觸所述歐姆層的至少一個區域。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的發光器件，進一步包括：

粘合層，所述粘合層被置放在所述硅化物層和所述導電支撐襯底之間。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的發光器件，其中根據濺射或者電子束氣相沉積形成所述硅化物層。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的發光器件，其中所述歐姆層被構圖以部分地暴露所述第二導電型半導體層。

10.根據權利要求9所述的發光器件，其中所述歐姆層被形成為兩個部分。

11.根據權利要求1至10中任一項所述的發光器件，其中在所述發光結構的側表面和所述硅化物層的至少一個區域上形成鈍化層。

12.根據權利要求1至11中任一項所述的發光器件，其中在所述第一導電型半導體層的表面上形成粗糙結構。

13.根據權利要求1至12中任一項所述的發光器件，其中所述硅化物層由多個層構成。

14.根據權利要求1至13中任一項所述的發光器件，其中所述硅化物層由Si和Ni、Pt、Ti、W、Cu、V、Fe或者Mo中的至少一種構成。

15.一種發光器件封裝，包括：

封裝主體，在所述封裝主體中形成空腔；

第一和第二電極層，所述第一和第二電極層被置放在所述封裝主體上且被相互電分離；和

發光器件，所述發光器件被置放在所述空腔上且與所述第一和第二電極層電連接，

其中，所述發光器件包括：發光結構，所述發光結構包括第一導電型半導體層、有源層和第二導電型半導體層；第一電極，所述第一電極被置放在所述第一導電型半導體層上；歐姆層，所述歐姆層被置放在所述第二導電型半導體層的預定區域上；硅化物層，所述硅化物層被置放在所述歐姆層上并且與所述第二導電型半導體層接觸；和導電支撐襯底，所述導電支撐襯底被置放在所述硅化物層上。

16.根據權利要求15所述的發光器件封裝，其中所述歐姆層被置放成部分地暴露所述第二導電型半導體層，并且所述硅化物層覆蓋所述歐姆層且直接接觸所述第二導電型半導體層的至少一個暴露區域。

17.根據權利要求15至16中任一項所述的發光器件封裝，其中所述硅化物層對應于所述第一電極直接地接觸所述第二導電型半導體層的至少一個區域。

18.根據權利要求15或16所述的發光器件封裝，其中進一步包括：

電流阻擋層，所述電流阻擋層被置放在所述第二導電型半導體層和所述硅化物層之間。