[發明專利]一種半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110271021.3
• 申請日: 2011-09-02
• 公開（公告）號: CN102386113A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: R·A·佩蓋拉;鄒勝源;尹勝煜
• 申請（專利權）人: 新科金朋有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/56;H01L23/498;H01L23/31;H01L25/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 徐小會;王忠忠

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供載體；

將第一半導體小片安裝于所述載體上；

提供插入框架，其具有在插入框架中的開口和形成在所述插入框架上的多個導電柱；

將所述插入器安裝于所述載體和第一半導體小片上，其中所述導電柱安置于所述第一半導體小片周圍；

通過所述插入框架中的開口在所述載體和第一半導體小片上沉積密封劑；

移除所述載體；以及

在所述密封劑和所述第一半導體小片上形成互連結構。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述插入框架中形成腔以包含所述第一半導體小片的一部分。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述載體上形成對準標記以輔助安裝所述插入框架。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括在沉積所述密封劑之前，將第二半導體小片安裝到所述第一半導體小片上。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括將第二半導體小片安裝到所述插入框架上。

6.根據權利要求5所述的方法，還包括在所述第二半導體小片與插入框架之間形成結合線。

7.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供載體；

將第一半導體小片安裝于所述載體上；

將密封劑沉積于所述載體和第一半導體小片上；

提供插入框架，其具有在所述插入框架中的開口和形成于所述插?入框架上的多個導電柱；

通過將所述插入框架壓靠在所述密封劑上而將所述插入器安裝于所述載體和第一半導體小片上；

移除所述載體；以及

在所述密封劑和所述第一半導體小片上形成互連結構。

8.根據權利要求7所述的方法，其中過量的密封劑通過在所述插入框架中的開口引出。

9.根據權利要求7所述的方法，其中所述導電柱安置于所述第一半導體小片周圍。

10.根據權利要求7所述的方法，還包括在所述插入框架中形成腔以包含所述第一半導體小片的一部分。

11.根據權利要求7所述的方法，還包括在沉積所述密封劑之前，將第二半導體小片安裝到所述第一半導體小片上。

12.根據權利要求7所述的方法，還包括將第二半導體小片安裝到所述插入框架上。

13.根據權利要求12所述的方法，還包括在所述第二半導體小片與插入框架之間形成結合線。

14.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供第一半導體小片；

提供插入框架，其具有在所述插入框架中的開口和形成于所述插入框架上的多個導電柱；

將所述插入器安裝到所述第一半導體小片上，其中所述導電柱安置于所述第一半導體小片周圍；

將密封劑沉積于所述第一半導體小片上；以及

在所述密封劑和所述第一半導體小片上形成互連結構。

15.根據權利要求14所述的方法，還包括：

在安裝所述插入框架之前將所述密封劑沉積于所述第一半導體小片上；以及?

將所述插入框架壓靠在所述密封劑上。

16.根據權利要求15所述的方法，其中過量的密封劑通過在所述插入框架中的開口引出。

17.根據權利要求14所述的方法，還包括通過所述插入框架中的開口在所述第一半導體小片上沉積密封劑。

18.根據權利要求14所述的方法，還包括在所述插入框架中形成腔以包含所述第一半導體小片的一部分。

19.根據權利要求14所述的方法，還包括在沉積所述密封劑之前，將第二半導體小片安裝到所述第一半導體小片上。

20.根據權利要求14所述的方法，還包括將第二半導體小片安裝到所述插入框架上。

21.一種半導體器件，包括：

第一半導體小片；

安裝于所述第一半導體小片上的插入框架，所述插入框架具有在所述插入框架中的開口和形成于所述插入框架上的多個導電柱；

沉積于所述第一半導體小片上的密封劑；以及

形成于所述密封劑和所述第一半導體小片上的互連結構。