[發明專利]非平面化半導體結構及其工藝

在審

• 申請號: 201110270877.9
• 申請日: 2011-09-14
• 公開（公告）號: CN103000687A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 蔡世鴻;林建廷;簡金城;林進富;劉志建;蔡騰群;吳俊元
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種非平面化半導體結構，包括：

基底；

至少二鰭狀結構，位于該基底上；

至少一絕緣結構，位于該多個鰭狀結構之間，且該絕緣結構具有含氮層；以及

多個外延層，分別覆蓋部分該多個鰭狀結構，并位于該含氮層上。

2.如權利要求1所述的非平面化半導體結構，其中該基底包括硅基底或絕緣體上硅基底。

3.如權利要求1所述的非平面化半導體結構，還包括柵極結構，覆蓋該多個外延層之間的鰭狀結構。

4.如權利要求3所述的非平面化半導體結構，其中該柵極結構還包括：

柵極介電層，覆蓋該多個鰭狀結構；

柵極電極，覆蓋該柵極介電層；

蓋層，覆蓋該柵極電極；以及

間隙壁，位于該柵極介電層、該柵極電極及該蓋層側邊。

5.如權利要求1所述的非平面化半導體結構，其中該氮化層包括氮化硅層或氮氧化硅層。

6.如權利要求1所述的非平面化半導體結構，其中該含氮層亦位于該多個鰭狀結構及該多個外延層之間。

7.一種半導體工藝，包括：

提供基底；

形成至少二鰭狀結構于該基底上；

形成氧化層于該多個鰭狀結構之間；

形成含氮層，在該氧化層中；以及

進行外延工藝，以形成多個外延層覆蓋部分該多個鰭狀結構。

8.如權利要求7所述的半導體工藝，其中該基底包括硅基底或絕緣體上硅基底。

9.如權利要求8所述的半導體工藝，其中形成該多個鰭狀結構于該硅基底上的步驟，包括：

形成掩模層于該硅基底上；

圖案化該掩模層并利用圖案化的該掩模層蝕刻該基底，以形成該多個鰭狀結構。

10.如權利要求9所述的半導體工藝，其中該掩模層包括墊氧化層以及氮化層。

11.如權利要求8所述的半導體工藝，其中該絕緣體上硅基底，包括：

基底；

底氧化層，位于該基底上；以及

硅層，位于該底氧化層上。

12.如權利要求11所述的半導體工藝，其中形成該多個鰭狀結構于該絕緣體上硅基底上以及形成該氧化層于該多個鰭狀結構之間的步驟，包括：

圖案化該硅層以形成該多個鰭狀結構，并暴露出部分該底氧化層，在該多個鰭狀結構之間。

13.如權利要求7所述的半導體工藝，其中形成該含氮層包括進行氮化工藝，直接氮化該氧化層的表面，以于該氧化層中形成該含氮層。

14.如權利要求13所述的半導體工藝，其中該氮化工藝包括去離子等離子體氮化工藝、含氨氣的退火工藝、遠端等離子體氮化工藝或熱氮化工藝。

15.如權利要求13所述的半導體工藝，其中在進行該氮化工藝之后，還包括進行后氮化退火工藝。

16.如權利要求15所述的半導體工藝，其中該后氮化退火工藝包括含氨氣的退火工藝。

17.如權利要求7所述的半導體工藝，其中該含氮層包括形成于該氧化層及該外延層之間以及形成于該外延層及該多個鰭狀結構之間。

18.如權利要求7所述的半導體工藝，在形成該氧化層之后，還包括：

形成柵極結構于部分該氧化層及部分該多個鰭狀結構上，且該多個外延層位于該柵極結構的側邊。

19.如權利要求7所述的半導體工藝，在形成該氮化層之后，還包括：

形成柵極結構于部分該氧化層及部分該多個鰭狀結構上，且該多個外延層位于該柵極結構的側邊。