[發明專利]優化硅基液晶微顯示像素單元面積的版圖結構

有效

• 申請號: 201110270779.5
• 申請日: 2011-09-14
• 公開（公告）號: CN102338957A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發明（設計）人: 趙博華;黃苒;杜寰;羅家俊;林斌
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/02
• 代理公司: 北京市德權律師事務所 11302
• 代理人: 劉麗君

1.優化硅基液晶微顯示像素單元面積的版圖結構，其特征在于，像素單元包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、存儲電容和像素電容；所述第一晶體管、所述第二晶體管和所述第三晶體管位于像素單元的上部，存儲電容和像素電容位于像素單元的下部。

2.如權利要求1所述的版圖結構，其特征在于，像素單元具有寫控制信號布線、上拉控制信號布線、讀控制信號布線、數據輸入信號布線、地信號布線、第一層金屬線、第二層金屬線和第三層金屬線；上拉控制信號布線、寫控制信號布線、讀控制信號布線以及地信號布線由上至下依次橫向布置，寫控制信號布線、上拉控制信號布線、讀控制信號布線以及地信號布線由第二層金屬線形成；

數據輸入信號布線縱向布置，數據輸入信號布線由第三層金屬線形成。

3.如權利要求2所述的版圖結構，其特征在于，像素電容和存儲電容橫向布置，像素電容和存儲電容具有公用端。

4.如權利要求3所述的版圖結構，其特征在于，所述第一晶體管豎向布置，所述第一晶體管位于像素單元的右方且處于存儲電容的上方；所述第二晶體管豎向布置，所述第二晶體管位于所述第一晶體管的右方且處于存儲電容的上方；所述第三晶體管橫向布置所述第二晶體管的右方且處于像素電容的上方。

5.如權利要求4所述的版圖結構，其特征在于，像素單元具有液晶電極信號布線；液晶電極信號布線位于像素電容兩端之間，并且通過第三層金屬連接到液晶電極。

6.如權利要求5所述的版圖結構，其特征在于，上拉控制信號布線通過第一通孔與所述第二晶體管的漏極相連接；寫控制信號布線通過第一通孔、第一層金屬和接觸孔與所述第一晶體管的柵極相連接；讀控制信號布線通過第一通孔連接到第一層金屬，并通過接觸孔與所述第三晶體管的柵極相連接；地信號布線位于液晶電極信號布線的下方，地信號布線通過第一通孔與存儲電容和像素電容的公共端相連接。

7.如權利要求6所述的版圖結構，其特征在于，數據輸入信號布線布置在像素單元的最左方，數據輸入信號布線通過第二通孔、第二層金屬線和第一通孔與所述第一晶體管的源極相連接。

8.如權利要求1-7任意一項所述的版圖結構，其特征在于，所述第一晶體管為PMOS晶體管，所述第二晶體管和所述第三晶體管均為NMOS晶體管。

9.如權利要求1-7任意一項所述的版圖結構，其特征在于，若干像素單元組成像素單元陣列；所述像素單元陣列右側布置有像素單元充放電信號的反相器鏈，所述像素單元陣列與像素單元充放電信號的反相器鏈通過充放電路徑連接；像素單元充放電信號的反相器鏈右側布置有電源信號布線，像素單元充放電信號的反相器鏈左側布置有地信號布線。