[發明專利]一種低溫多晶硅TFT陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201110270029.8
• 申請日: 2011-09-13
• 公開（公告）號: CN102683338A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 馬占潔;龍春平
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種低溫多晶硅TFT陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

形成有多晶硅半導體有源層；

所述多晶硅半導體有源層上形成有源極、漏極；所述源極、漏極與所述多晶硅半導體有源層構成TFT區域；

所述源極、漏極上形成有柵絕緣層；

所述柵絕緣層上形成有柵極、柵線；

所述柵極、柵線上形成有保護層；

所述保護層上形成有像素電極層，所述像素電極層通過位于所述保護層、柵絕緣層上的過孔與所述漏極連接。

2.根據權利要求4所述的低溫多晶硅TFT陣列基板，其特征在于，還包括：

在形成有多晶硅半導體有源層之前，在所述基板上形成有緩沖層。

3.一種低溫多晶硅TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成多晶硅層；

在所述多晶硅層上形成第一金屬層，利用灰色調掩摸板或半透式掩摸板對所述第一金屬層、多晶硅層進行構圖工藝處理，通過第一次構圖工藝得到數據線、源極、漏極和多晶硅半導體部分的圖案；

通過第二次構圖工藝在所述柵絕緣層上形成柵線、柵極；

在所述源極、漏極和多晶硅半導體部分的圖案上形成柵絕緣層；

對所述多晶硅層的源、漏極之間的部分進行摻雜處理，以便與所述源、漏極形成溝道區；

在所述柵線、柵極上形成保護層，通過第三次構圖工藝在所述漏極處形成過孔，露出所述漏極；

在所述保護層上形成像素電極層，所述像素電極層通過所述過孔與所述漏極連接；

通過第四次構圖工藝形成像素電極圖形；

在像素電極上通過第五次構圖工藝形成平坦化層圖形。

4.根據權利要求3所述的低溫多晶硅TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，所述利用灰色調掩摸板或半透式掩摸板對所述第一金屬層進行構圖工藝處理，通過一次構圖工藝得到數據線、源極、漏極和多晶硅半導體部分的圖案，包括：

在所述第一金屬層上涂布光刻膠；

利用灰色調掩摸板或半透式掩摸板對所述光刻膠進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留區域、光刻膠半保留區域和光刻膠完全去除區域；其中，所述光刻膠完全保留區域對應數據線區域、源極區域、漏極區域，所述光刻膠半保留區域對應源、漏極區域之間的區域；

利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠完全去除區域的第一金屬層、多晶硅層；

利用等離子體灰化工藝去除掉所述光刻膠半保留區域的光刻膠；

利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠半保留區域的第一金屬層；

剝離掉所述光刻膠完全保留區域的光刻膠。

5.根據權利要求3所述的低溫多晶硅TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在基板上形成多晶硅層包括：在基板上形成緩沖層，在所述緩沖層上形成多晶硅層。