[發明專利]一種太陽能電池片干法刻蝕工藝

有效

• 申請號: 201110270013.7
• 申請日: 2011-09-14
• 公開（公告）號: CN102290494A
• 公開（公告）日: 2011-12-21
• 發明（設計）人: 張宗陽;李增彪;何成輝;陳云爽
• 申請（專利權）人: 江陰鑫輝太陽能有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 江陰市永興專利事務所(普通合伙) 32240
• 代理人: 達曉玲;詹世平

技術領域

本發明涉及一種晶硅太陽能電池片干法刻蝕工藝，屬于太陽能電池生產領域。?

背景技術

過度的開采與日益增大的能源需求使地球的礦產資源越來越少，傳統能源不斷枯竭，能源價格不斷上漲，迫使人類尋找更加清潔可持續的新型能源，于是太陽能電池開始迅速發展。刻蝕是太陽能電池生產中的一個重要環節，干法刻蝕各向異性好，選擇比高，可控性、靈活性、重復性好，清潔無污染，易于實現自動化等優點，目前被廣泛使用。?

太陽能電池產生的電能中，有一部分由于電池內部的漏電流而損失。對于單晶硅和多晶硅電池，形成漏電的主要原因有：通過PN結的漏電流；沿電池邊緣的表面漏電流；金屬化處理之后沿著微觀裂縫或晶界等形成的小橋路而產生的漏電流。所有這些漏電流在理論上都可以歸結為電池并聯電阻之中，因此并聯電阻值（R_sh）越大越好。為了保證刻蝕效果，增大并聯電阻，在刻蝕過程中通常通過增大功率、流量、刻蝕時間等措施來達到工藝要求，但是這往往會造成過度刻蝕，硅片表面邊緣被刻蝕過深，刻蝕邊變寬，表面PN結遭破壞，填充因子和光電轉換效率就會下降。因此現有的干法刻蝕技術，不能良好得兼顧高并聯電阻和高轉換率的要求。?

發明內容

本發明提供了一種太陽能電池片干法刻蝕工藝，用以解決現有技術中由于過度刻蝕造成的太陽能電池光電轉換率偏低的問題。?

本發明的目的是通過以下方法實現的：一種太陽能電池片干法刻蝕工藝，包括干法刻蝕步驟，所述干法刻蝕步驟包括：?

第一步刻蝕工藝：抽真空，通入O₂和CF₄氣體，氣體流量分別50-100sccm和190-350sccm，對腔體穩壓，設定壓力220-330mt，功率850w,轉速8?-10rpm/min，時間控制為250-350s，用射頻電源去掉硅片邊緣表面的SiO₂；

第二步刻蝕工藝：排除廢氣，通入O₂和CF₄氣體，氣體流量分別40-120sccm和200-450sccm，對腔體穩壓，設定壓力230-440mt，功率850w,轉速8?-10rpm/min，時間控制為1000-1200s，用射頻電源去掉硅片邊緣的?Si。

所述第一步刻蝕的工藝條件為，通入O₂和CF₄氣體流量分別60-70sccm和215-250sccm，設定壓力260-300mt，功率850w，轉速8rpm/min，刻蝕時間300s。?

所述第二步刻蝕的工藝條件為，通入O₂和CF₄氣體流量分別65-80sccm和380-410sccm，設定壓力330-380mt，功率850w，轉速8rpm/min，刻蝕時間1100s?

本發明采用分步刻蝕法，選擇合適的氣流量、壓力和功率進行刻蝕，縮短了刻蝕所需時間，減少了刻蝕氣體的用量，減少了成本，同時較少了電池片表面PN結的損壞，增大其填充因子和光電轉換效率，兼顧了高并聯電阻和高轉換率的要求。

具體實施方式

?本說明書中公開的所有特征，或公開的所有方法或過程中的步驟，除了互相排斥的特征和/或步驟以外，均可以以任何方式組合。?

本說明書（包括任何附加權利要求、摘要）中公開的任一特征，除非特別敘述，均可被其他等效或具有類似目的的替代特征加以替換。即，除非特別敘述，每個特征只是一系列等效或類似特征中的一個例子而已。?

一種太陽能電池干法刻蝕工藝，包括干法刻蝕步驟，所述干法刻蝕步驟包括：?

第一步刻蝕工藝：抽真空，通入O₂和CF₄氣體，氣體流量分別50-100sccm和190-350sccm，對腔體穩壓，設定壓力220-330mt，功率850w,轉速8?-10rpm/min，時間控制為250-350s，用射頻電源去掉硅片邊緣表面的SiO₂；

第二步刻蝕工藝：排除廢氣，通入O₂和CF₄氣體，氣體流量分別40-120sccm和200-450sccm，對腔體穩壓，設定壓力230-440mt，功率850w,轉速8?-10rpm/min，時間控制為1000-1200s，用射頻電源去掉硅片邊緣的?Si。

實施例