[發明專利]一種與CMOS電路縱向集成的MEMS硅麥克風及其制備方法有效
| 申請號： | 201110269419.3 | 申請日： | 2011-09-13 |
| 公開（公告）號： | CN102333254A | 公開（公告）日： | 2012-01-25 |
| 發明（設計）人： | 繆建民 | 申請（專利權）人： | 華景傳感科技（無錫）有限公司 |
| 主分類號： | H04R1/08 | 分類號： | H04R1/08;H04R31/00 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標事務所 32104 | 代理人： | 殷紅梅 |
| 地址： | 214131 江蘇省無錫市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 cmos 電路 縱向 集成 mems 麥克風 及其 制備 方法 | ||
1.?一種與CMOS電路縱向集成的MEMS硅麥克風，包括背極板硅基（1）及位于所述背極板硅基（1）上方振膜硅基（9）；其特征是：所述背極板硅基（1）上對應于與振膜硅基（9）相連的另一側設有CMOS電路（2），背極板硅基（1）對應設置CMOS電路（2）的表面上淀積有電絕緣層，所述電絕緣層上設有金屬鍵合層（7），所述金屬鍵合層（7）與CMOS電路（2）的連接端電連接；背極板硅基（1）上設有若干聲孔（18），所述聲孔（18）位于振膜硅基（9）的正下方，且聲孔（18）從金屬鍵合層（7）的表面向下延伸貫通背極板硅基（1），背極板硅基（1）對應于設置聲孔（18）表面的金屬鍵合層（7）形成下電極（6）；振膜硅基（9）對應于與背極板硅基（1）相連的表面設有導電振膜，振膜硅基（9）內設有貫通振膜硅基（9）的深坑（14），所述深坑（14）位于聲孔（18）的正上方，且深坑（14）與聲孔（18）對應分布；振膜硅基（9）對應于設置振膜的表面鍵合安裝于金屬鍵合層（7）上，導電振膜通過金屬鍵合層（7）與CMOS電路（2）電連接，導電振膜與下電極（6）間隙配合。
2.根據權利要求1所述與CMOS電路縱向集成的MEMS硅麥克風，其特征是：所述聲孔（18）的孔徑為50~100μm；所述背極板硅基（1）的厚度為300~500μm。
3.根據權利要求1所述與CMOS電路縱向集成的MEMS硅麥克風，其特征是：所述電絕緣層包括位于背極板硅基（1）表面的第一絕緣介質層（3）及位于所述第一絕緣介質層（3）上的第二絕緣介質層（4）；所述第一絕緣層（3）為氮化硅層，第二絕緣介質層（4）為二氧化硅層。
4.根據權利要求1所述與CMOS電路縱向集成的MEMS硅麥克風，其特征是：?所述CMOS電路（2）的連接端包括輸入端（19）及輸出端（20），所述輸入端（19）鄰近振膜硅基（9）；輸入端（19）及輸出端（20）通過電絕緣層隔離。
5.根據權利要求1所述與CMOS電路縱向集成的MEMS硅麥克風，其特征是：所述導電振膜包括生長于振膜硅基（9）上的絕緣支撐膜（11）及淀積于所述絕緣支撐膜（11）上的振膜體薄膜（12），且所述振膜體薄膜（12）通過高溫退火去除殘余應力。
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