[發(fā)明專利]一種多晶硅酸法制絨工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110269119.5
• 申請(qǐng)日: 2011-09-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102296369A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王世賢;邱軍輝;吳紅良
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江陰鑫輝太陽(yáng)能有限公司
• 主分類號(hào): C30B33/10
• 分類號(hào): C30B33/10;C23F1/24
• 代理公司: 江陰市永興專利事務(wù)所(普通合伙) 32240
• 代理人: 達(dá)曉玲;詹世平

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池的制作領(lǐng)域，尤其是涉及一種多晶硅酸法制絨工藝。?

背景技術(shù)

近年來(lái)，多晶硅太陽(yáng)能電池以其轉(zhuǎn)換效率較高、性能穩(wěn)定和成本適中的特點(diǎn)而得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，其產(chǎn)量已超越單晶硅，占據(jù)了市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。?

為了提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，在制作時(shí)，需要先對(duì)硅片進(jìn)行化學(xué)處理，使得硅表面做成一個(gè)具有一定形狀的絨面，由于絨面的存在，物體表面的反射率就會(huì)大大降低，從而增加光的吸收，多晶硅片的制絨是通過(guò)化學(xué)反應(yīng)在硅片表面進(jìn)行各向同性腐蝕，形成密集的凹坑狀表面結(jié)構(gòu)，增加了光在硅片表面的反射次數(shù)，最大限度的減少光的反射率，增加廣的吸收，提高短路電流（Isc），進(jìn)而提高光電轉(zhuǎn)換效率，因此在制絨過(guò)程中，藥液比例對(duì)減重控制、反射率的高低、黑線的形成有著不同的影響，但是現(xiàn)有的工藝減重偏低，設(shè)備生產(chǎn)速度偏慢，產(chǎn)能偏低，且反射率偏高，黑線嚴(yán)重。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明為解決目前太陽(yáng)能電池的制絨工藝中，減重偏低，反射率偏高，黑線嚴(yán)重的問(wèn)題，為此提供了一種多晶硅酸法制絨工藝，包括：用酸液進(jìn)行制絨的步驟；去酸液的步驟；去氧化層和金屬離子的步驟；清洗并烘干的步驟。?

本發(fā)明多晶硅酸法制絨工藝，所述制絨過(guò)程中，所使用的酸液包括配比為4：1的HNO3和HF，所需制絨時(shí)間為1.7min。?

本發(fā)明多晶硅酸法制絨工藝，所述去酸液的步驟中，先用水清洗，然后用堿性液去除酸液和多孔硅，再用水進(jìn)行清洗去堿性液，去酸液時(shí)間為1.8min。?

本發(fā)明多晶硅酸法制絨工藝，去氧化層和金屬離子使用的混合液包括濃度為40%的HCl和濃度為20%的HF，所需時(shí)間為1min。?

本發(fā)明多晶硅酸法制絨工藝，所述烘干溫度為30℃，清洗和烘干的時(shí)間為0.8min。?

本發(fā)明的原理：從電性能上看，減重越大，絨面的直徑越大，深度越小，反射率越大。減重較小，絨面比較尖銳，反射率較小，Isc會(huì)變大，但絨面較尖銳容易磨損造成漏電，印刷時(shí)與背電場(chǎng)的接觸也會(huì)有影響，使得Uoc有所下降。?

HNO3為高氧化劑,在反應(yīng)中提供反應(yīng)所需要的較高空穴，HF?的作用是與反應(yīng)的中間產(chǎn)物SiO2反應(yīng)生成絡(luò)合物，增加溶液中HNO3含量，適當(dāng)降低溶液中HF含量，確定較佳HNO3、HF比例，使HF對(duì)腐蝕坑內(nèi)結(jié)構(gòu)更加細(xì)化。在形成深的腐蝕坑的同時(shí)坑的表面也發(fā)生緩慢的腐蝕,?形成更小的微腐蝕坑,?結(jié)果使表面的孔隙率更高。即在HF反應(yīng)速度較慢的條件下,能夠得到較好的絨面,?從而降低了反射率并增加了光的吸收。?