[發明專利]一種太陽能級多晶硅脫磷的提純方法無效
| 申請號： | 201110268669.5 | 申請日： | 2011-09-13 |
| 公開（公告）號： | CN102424389A | 公開（公告）日： | 2012-04-25 |
| 發明（設計）人： | 孔繁敏;王新元;安利明;孫湘航;司繼良;陳建玉 | 申請（專利權）人： | 山西納克太陽能科技有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/037 | 分類號： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 太原市科瑞達專利代理有限公司 14101 | 代理人： | 盧茂春 |
| 地址： | 030032 山西省*** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 太陽 能級 多晶 硅脫磷 提純 方法 | ||
【權利要求書】：
1.?一種太陽能級多晶硅脫磷的提純方法，其特征是提純設備采用高真空感應爐，粒徑是5～100mm的金屬硅為原料，金屬硅原料的純度為99％，即2N以上，其中B含量為5ppm，P含量為25ppm；其操作步驟是：
（1）開啟高真空感應爐的真空系統，依次開啟前級機械泵及擴散泵使爐室內達到高真空狀態；所述的高真空是指控制在1.2×10－3～2.4×10－3Pa；
（2）將占石墨坩堝容量1/10的金屬硅原料裝入位于高真空感應爐內的石墨坩堝中，開啟高頻感應電源將金屬硅熔化；所述的高頻感應電源功率為200～280KW；
（3）待第（2）步驟金屬硅原料熔化后使金屬硅液溫度保持在1560～1600℃，需要保持12到20小時，開啟金屬硅原料連續送料裝置，投入剩余金屬硅原料至爐內的石墨坩堝中進行連續脫磷；
（4）脫磷后的金屬硅熔體容積達到坩堝容積的2/3～3/4時，將金屬硅熔體傾入同爐室內的另一坩堝中，自然冷卻5小時，便得到脫磷多晶硅。
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