[發(fā)明專利]一種電子顯微鏡樣品盒無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110268430.8 | 申請日: | 2011-09-09 |
| 公開(公告)號: | CN102866034A | 公開(公告)日: | 2013-01-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳智;杜經(jīng)寧 | 申請(專利權(quán))人: | 財團法人交大思源基金會 |
| 主分類號: | G01N1/00 | 分類號: | G01N1/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 周國城 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電子顯微鏡 樣品 | ||
1.一種電子顯微鏡樣品盒,包括:
一第一基板,其具有一第一表面、一第二表面、一第一凹槽、及一個或一個以上的第一導(dǎo)孔,其中該第一凹槽設(shè)置于該第二表面,而該第一表面上設(shè)有一第一薄膜,其對應(yīng)于該第一凹槽,且該一個或一個以上的第一導(dǎo)孔設(shè)置于該第一凹槽的外圍,并貫穿該第一基板;
一第二基板,其具有一第三表面、一第四表面、及一第二凹槽,其中該第二凹槽設(shè)置于該第四表面,而該第三表面上設(shè)有一第二薄膜,其對應(yīng)于該第二凹槽;
一金屬黏著層,設(shè)置于該第一基板與該第二基板之間;以及
一個或一個以上的光電元件,其具有一個或一個以上的作用端,而該光電元件設(shè)置于該第一基板及該第二基板之間;
其中該第一基板、該第二基板、及該金屬黏著層之間形成一空間,且該光電元件的該作用端設(shè)于該空間。
2.如權(quán)利要求1所述的電子顯微鏡樣品盒,其中該第一導(dǎo)孔貫穿該第一薄膜。
3.如權(quán)利要求1所述的電子顯微鏡樣品盒,其中該金屬黏著層設(shè)置于該第二表面與該第四表面之間。
4.如權(quán)利要求1所述的電子顯微鏡樣品盒,其中該金屬黏著層設(shè)置于該第二表面與該第二薄膜之間。
5.如權(quán)利要求1所述的電子顯微鏡樣品盒,其中一個或一個以上的該光電元件各自獨立為光纖、或電極。
6.如權(quán)利要求1所述的電子顯微鏡樣品盒,其中該第二基板更包括一個或一個以上的第二導(dǎo)孔,其中該第二導(dǎo)孔設(shè)置于該第二凹槽的外圍,并貫穿該第二基板。
7.如權(quán)利要求1所述的電子顯微鏡樣品盒,其中該第一導(dǎo)孔的孔徑為10至1000微米。
8.如權(quán)利要求6所述的電子顯微鏡樣品盒,其中該第二導(dǎo)孔的孔徑為10至1000微米。
9.如權(quán)利要求1所述的電子顯微鏡樣品盒,其中更包含一個或一個以上的栓塞,置于該第一導(dǎo)孔。
10.如權(quán)利要求6所述的電子顯微鏡樣品盒,其中更包含一個或一個以上的栓塞,置于該第二導(dǎo)孔。
11.如權(quán)利要求1所述的電子顯微鏡樣品盒,其中該第一薄膜及該第二薄膜的材料各自獨立為二氧化硅SiO2、氮化硅Si3N4、或其組合。
12.如權(quán)利要求1所述的電子顯微鏡樣品盒,其中該第一薄膜、及該第二薄膜的厚度為1至100納米。
13.如權(quán)利要求1所述的電子顯微鏡樣品盒,其中該第一薄膜的外層設(shè)有一第一保護層。
14.如權(quán)利要求13所述的電子顯微鏡樣品盒,其中該第一保護層的材料為氮化硅Si3N4。
15.如權(quán)利要求1所述的電子顯微鏡樣品盒,其中該第二薄膜的外層設(shè)有一第二保護層。
16.如權(quán)利要求15所述的電子顯微鏡樣品盒,其中該第二保護層的材料為氮化硅Si3N4。
17.如權(quán)利要求1所述的電子顯微鏡樣品盒,其中該第一基板及第二基板各自獨立為硅基板、玻璃基板、或聚合物基板。
18.如權(quán)利要求1所述的電子顯微鏡樣品盒,其中該第一基板及該第二基板的厚度介于10至1000微米。
19.如權(quán)利要求1所述的電子顯微鏡樣品盒,其中該金屬黏著劑為一金屬材料,其中該金屬材料選自:鈦、鈦鎢合金、鉻、鎳、錫、銦、鉍、銅、銀、鎳、鋅、金、或其組合所組成的群組。
20.如權(quán)利要求9所述的電子顯微鏡樣品盒,其中該栓塞的材料選自:鈦鎳合金、銅基合金、銅鋅合金、銅鋁錳合金、銅鋁鎳合金、銅鋁鈹合金、銅鋁鈹鋯合金、銅鋁鎳鈹合、及其組合所組成的群組。
21.如權(quán)利要求1所述的電子顯微鏡樣品盒,其中該第一基板、該第二基板、及該金屬黏著層所形成該空間的體積為0.01至100立方毫米。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于財團法人交大思源基金會,未經(jīng)財團法人交大思源基金會許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110268430.8/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:曝光裝置
- 下一篇:背光模塊以及顯示裝置





