[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110268106.6
• 申請日: 2011-09-09
• 公開（公告）號: CN102403340A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 小林直人
• 申請（專利權）人: 精工電子有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;馬建軍

1.一種半導體器件的制造方法，該半導體器件的制造方法具有以下步驟：

在半導體襯底的表面上形成溝道層；

在所述半導體襯底的表面上依次形成氮化硅膜和第一氧化硅膜，在覆蓋所述溝道層的所述氮化硅膜和所述第一氧化硅膜上設置用于形成溝槽的開口；

將所述氮化硅膜和所述第一氧化硅膜作為掩模，在所述開口的位置從所述半導體襯底的表面起形成比所述溝道層深的溝槽；

殘留所述氮化硅膜，除去所述第一氧化硅膜；

將所述氮化硅膜作為掩模，在所述溝槽的側面形成作為柵氧化膜的第二氧化硅膜；

以埋入所述溝槽的方式在所述氮化硅膜的表面堆積柵電極材料之后，將所述氮化硅膜作為掩模，除去位于所述氮化硅膜上的所述柵電極材料，以上端面處于以后成為源區域的所述溝道層的表面之上的方式，在所述溝槽內形成柵電極；以及

在除去所述氮化硅膜之后，在所述溝槽的周圍形成導電類型與所述溝道層相反的源區域。

2.一種半導體器件的制造方法，該半導體器件的制造方法具有以下步驟：

在半導體襯底的表面上形成溝道層；

在所述半導體襯底的表面上依次形成氮化硅膜和第一氧化硅膜，在覆蓋所述溝道層的所述氮化硅膜和所述第一氧化硅膜上設置用于形成溝槽的開口；

將所述氮化硅膜和所述第一氧化硅膜作為掩模，在所述開口的位置從所述半導體襯底的表面起形成比所述溝道層深的溝槽；

殘留所述氮化硅膜，除去所述第一氧化硅膜；

將所述氮化硅膜作為掩模，在所述溝槽的側面形成作為柵氧化膜的第二氧化硅膜；

以埋入所述溝槽的方式在所述氮化硅膜的表面堆積柵電極材料之后，將所述氮化硅膜作為掩模，除去位于所述氮化硅膜上的所述柵電極材料，以上端面處于以后成為源區域的所述溝道區域的表面之上的方式，在所述溝槽內形成柵電極；以及

在所述溝槽的周圍形成導電類型與所述溝道層相反的源區域之后，在保持所述柵電極的上端面處于所述溝道層的表面之上的狀態而除去所述氮化硅膜。

3.一種半導體器件，該半導體器件由以下部分構成：

第2導電類型的溝道層，其設置在第1導電類型的半導體襯底上；

溝槽，其從所述溝道層的表面起貫通所述溝道層進行設置；

柵絕緣膜，其設置在所述溝槽的內壁面；

柵電極，其隔著所述柵絕緣膜填充到所述溝槽內；以及

源區域，其配置在所述溝槽的周圍，

所述柵電極的上端面處于以后成為源區域的所述溝道層的表面之上，并且，所述柵電極的上端部的側面具有與所述溝槽內的所述柵電極的側面相同的形狀。