[發明專利]光提取結構、發光基板和圖像顯示裝置的制造方法

無效

• 申請號: 201110267992.0
• 申請日: 2011-09-13
• 公開（公告）號: CN102412107A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 北村伸;荒木和彥;山田修嗣;高松修
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01J9/24
• 分類號: H01J9/24;H01J29/89;H01J31/12
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 羅銀燕

1.一種光提取結構的形成方法，包括：

(a)將捕獲層至少形成于由第一半透明材料制成的基板或膜上；

(b)將其中粒子已被分散到分散介質中的分散液施加到捕獲層上，使分散介質揮發，并且將粒子的沉積層形成于捕獲層上；

(c)將沉積層的最下層中的粒子嵌入捕獲層中并捕獲；

(d)去除未在捕獲層中捕獲的粒子；

(e)使用在捕獲層中捕獲的粒子作為掩模，去除捕獲層和第一半透明材料的基板或膜的一部分，并且將多個凹部形成于第一半透明材料的基板或膜中；

(f)在步驟(e)之后去除粒子和捕獲層；以及

(g)用其折射率與第一半透明材料的折射率不同的第二半透明材料嵌入在第一半透明材料的基板或膜中形成的所述多個凹部，

其中，在步驟(c)中在捕獲層中捕獲的粒子的粒子填充率對于二維最密充填等于93％或更大。

2.根據權利要求1的形成方法，其中，在步驟(a)中形成的捕獲層是包含聚合物的層，構成在步驟(b)中施加的分散液中的粒子的材料的玻璃轉變點或熔點被設為高于包含于捕獲層中的聚合物的玻璃轉變點或熔點，并且，通過將捕獲層加熱到等于或高于聚合物的玻璃轉變點或熔點并且低于構成粒子的材料的玻璃轉變點或熔點的溫度，執行步驟(c)。

3.根據權利要求1的形成方法，其中，在步驟(a)和(b)之間，通過控制粒子和捕獲層的表面電荷，在捕獲層中捕獲的粒子的粒子填充率對于二維最密充填被設為93％或更大。

4.根據權利要求3的形成方法，其中，粒子的表面電荷和捕獲層的表面電荷被控制為負極性。

5.根據權利要求1至4中任一項的形成方法，其中，在步驟(b)中施加的分散液中的粒子的濃度在30～40重量％的范圍內。

6.一種具有用于提取從發光層發射的光的光提取結構的發光基板的制造方法，其中，

通過根據權利要求1至5中任一項的光提取結構的形成方法來形成光提取結構。

7.一種具有用于提取從發光層發射的光的光提取結構的圖像顯示裝置的制造方法，其中，

通過根據權利要求1至5中任一項的光提取結構的形成方法來形成光提取結構。

8.根據權利要求7的制造方法，其中，圖像顯示裝置是場發射顯示器。

9.根據權利要求7的制造方法，其中，圖像顯示裝置是電致發光顯示器。