[發明專利]包括基于鎘的光伏打材料的電池

無效

• 申請號: 201110267919.3
• 申請日: 2011-06-24
• 公開（公告）號: CN102386262A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: E·沙萊;E·彼得
• 申請（專利權）人: 法國圣戈班玻璃廠
• 主分類號: H01L31/048
• 分類號: H01L31/048;H01L31/0216;H01L31/0224
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 段家榮;林森

1.光電池(100)，包括至少一個玻璃透明襯底(10)，保護疊層(30)，至少包括：

●薄膜(5)，包括至少一種基于鎘并具有光伏打特性的材料；

●兩個層(3，6)，構成所述光伏打層(5)兩側的電極，一個下電極(3)，放置于最接近襯底；和另一個上電極(6)；

至少所述下電極層(3)是TCO類型的透明導電氧化物；

所述電池的特征在于，在所述下電極層(3)和所述光伏打薄膜(5)之間包括至少一個基本上由氮化鎵GaN構成的層(4)，任選部分用鋁Al替代，所述層的物理厚度嚴格地小于20nm。

2.按照權利要求1的電池，其中層(4)基本上由厚度小于15nm，優選小于12nm的氮化鋁GaN構成。

3.按照上述權利要求中任一項的電池，其中基于鎘并具有光伏打特性的材料是CdS/CdTe類型。

4.按照上述權利要求中任一項的電池，在基本上為氮化鎵的層(4)和具有光伏打特性的薄膜(5)之間另外包括緩沖層(2)，其由一種或多種選自氧化錫SnO₂、氧化鋅ZnO、通式是Sn_xZn_yO_z的鋅和錫的混合氧化物中的材料構成，任選同樣包括鋁和/或銻Sb，或者銦和錫的混合氧化物。

5.按照前一權利要求的電池，其中緩沖層(2)的物理厚度在20和300nm之間，優選在150和200nm之間。

6.按照上述權利要求中任一項的電池，其中所述下電極層(3)是TCO，其包括選自Al、Ga、In、B、Ti、V、Y、Zr、Ge的組中的元素摻雜或通過這些不同的摻雜劑的組合摻雜的氧化鋅ZnO或由選自Al、Ga、In、B、Ti、V、Y、Zr、Ge的組中的元素摻雜或通過這些不同的摻雜劑的組合摻雜的氧化鋅ZnO構成，優選是由用鋁摻雜的氧化鋅ZnO?AZO，或者鎵摻雜的氧化鋅ZnO?GZO或鎵和鋁共摻雜的氧化鋅ZnO構成的TCO。

7.按照權利要求1至5中一項的電池，其中所述下電極層(3)是包括錫酸鎘(特別是Cd₂SnO₄)或由錫酸鎘(特別是Cd₂SnO₄)構成的TCO。

8.按照上述權利要求中任一項的電池，其中組成層(4)的氮化鎵GaN部分被鋁Al替代，其比例在1和50原子％之間。

9.按照上述權利要求中任一項的電池，在所述襯底(10)和所述下電極層(3)之間包括至少一個介電材料層(1)，由對來自玻璃襯底的堿形成阻擋的材料構成，特別是在淬火時或退火時。

10.按照前一權利要求的電池，其中對堿形成阻擋的層(1)包括至少一種選自Si₃N₄、Sn_xZn_yO_Z、SiO₂、SiO_xN_y、TiO₂、Al₂O₃構成的一組中的材料，任選所述材料特別用選自Al、Zr、Sb中的元素摻雜。