[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110267763.9
• 申請(qǐng)日: 2011-09-09
• 公開（公告）號(hào): CN102324463A
• 公開（公告）日: 2012-01-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱勇;段煉;謝愷;張國輝;董艷波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆山維信諾顯示技術(shù)有限公司;清華大學(xué);北京維信諾科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/56
• 分類號(hào): H01L51/56;C23C14/14;C23C14/24
• 代理公司: 北京申翔知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11214
• 代理人: 艾晶;周春發(fā)

1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其包含制備電子注入層，其特征在于，該制備電子注入層的方法中，對(duì)于材料具有如下要求：

(1)采用至少兩種金屬的混合物，并且，低升華溫度的金屬為相對(duì)活潑的金屬；

(2)上述金屬混合物相比活潑金屬本身，安全性、穩(wěn)定性高；

(3)上述混合物在蒸鍍過程中，至少有一種金屬能被蒸發(fā)出來，

并且，至少有一種金屬?zèng)]有被蒸發(fā)出來；

蒸鍍溫度控制在使得低升華溫度金屬蒸發(fā)，而另外的金屬?zèng)]有蒸發(fā)。

2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，該混合物為兩種金屬的混合物。

3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，該混合物中低升華溫度的金屬為堿金屬或堿土金屬。

4.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，低升華溫度的金屬與高升華溫度的金屬，其升華溫度相差50℃以上。

5.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，低升華溫度的金屬與高升華溫度的金屬，其升華溫度相差100℃以上。

6.如權(quán)利要求1-5任一所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，該低升華溫度的金屬所占混合物的質(zhì)量百分含量為0.1-99.9％。

7.如權(quán)利要求1-5任一所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，其以Alq3摻雜活潑金屬形成電子傳輸層及注入層，其中，摻雜比例為質(zhì)量百分?jǐn)?shù)10-30％。

8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，該混合物為鋰鋁合金、鋰鎂合金、鋁鎂合金、鎂鈣合金、銫鋁合金或銫銀合金。

9.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，上述合金中，鋰鎂合金中鋰的質(zhì)量百分比例為65％-85％；鋰鋁合金中鋰的質(zhì)量百分比例為5％-35％；鋁鎂合金中鎂的質(zhì)量百分比例為50％-90％；鎂鈣合金中鎂的質(zhì)量百分比例為50％-90％；銫鋁合金中銫的質(zhì)量百分比例為1％-35％；先銫銀合金中銫的質(zhì)量百分比例為30％-65％。

10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，其還包含制備陰極層和陽極層，該陰極層和陽極層為透明電極。

11.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，其還包含制備陰極層和陽極層，其在基板上先制備陰極，然后各功能層，最后制備陽極。