[發明專利]一種柔性IGZO薄膜晶體管

無效

• 申請號: 201110267211.8
• 申請日: 2011-09-09
• 公開（公告）號: CN102832252A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: 王彬
• 申請（專利權）人: 廣東中顯科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786
• 代理公司: 北京瑞恒信達知識產權代理事務所(普通合伙) 11382
• 代理人: 曹津燕

1.一種柔性IGZO薄膜晶體管，包含塑料襯底、緩沖保護層、刪電極、柵絕緣層、源極以及漏極；其特征在于，該薄膜晶體管還包含IGZO半導體層以及保護層，其中塑料襯底上覆蓋緩沖保護層，緩沖保護層的上部中心區域采用直流磁控濺射方法制備柵電極，柵電極上部覆蓋了柵絕緣層，柵絕緣層的兩端分別覆蓋至緩沖保護層上，IGZO半導體層位于柵絕緣層的上部，源、漏兩極分別位于半導體層的上部的兩側，半導體層被源極和漏極所覆蓋，僅在半導體層的頂部，源漏兩極的中間形成通道，在通道上采用PECVD制備保護層。

2.如權利要求1所述的柔性IGZO薄膜晶體管，其特征在于，所述塑料襯底的厚度為50μm。

3.如權利要求2所述的柔性IGZO薄膜晶體管，其特征在于，緩沖保護層與柵絕緣層采用氮化硅。

4.如權利要求3所述的柔性IGZO薄膜晶體管，其特征在于，所述柵電極采用Cr材料。

5.如權利要求4所述的柔性IGZO薄膜晶體管，其特征在于，源極、漏極采用ITO材料。

6.如權利要求5所述的柔性IGZO薄膜晶體管，其特征在于，保護層采用PECVD制備的SiO₂薄膜。

7.如權利要求1所述的柔性IGZO薄膜晶體管，其特征在于，在制備柔性IGZO薄膜晶體管過程中，沉積溫度從初始的270℃降低到后期的240℃；保護層的沉積功率從20W降低到10W；SiNx絕緣層的沉積厚度從200nm降低到130nm。

8.如權利要求4所述的柔性IGZO薄膜晶體管，其特征在于，柵電極Cr薄膜：平均電阻率為19.6μΩ·cm，退火后的電阻率為17.7μΩ·cm，薄膜電阻率的均勻度在±10％。

9.如權利要求1所述的柔性IGZO薄膜晶體管，其特征在于，IGZO薄膜，呈現非晶結構，可見光的透過率達到80％以上，In∶Ga∶Zn的原子比為10∶10∶3。