[發(fā)明專利]一種柔性IGZO薄膜晶體管制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110267206.7
• 申請日: 2011-09-09
• 公開（公告）號: CN102832131A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王彬
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東中顯科技有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京瑞恒信達知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11382
• 代理人: 曹津燕

1.一種柔性IGZO薄膜晶體管的制備方法，包括：

步驟1、柔性襯底的清洗；

步驟2、使用PECVD沉積SiNx隔離層；

步驟3、制備柵電極圖形；

步驟4、制備柵絕緣層；

步驟5、制備IGZO半導(dǎo)體層，

步驟6、制備源漏電極；

步驟7、制備保護層；

其中步驟3中包括：采用直流磁控濺射方法制備Cr柵薄膜，將制備好的薄膜通過涂膠，烘烤、光刻，顯影，刻蝕和去膠技術(shù)生成柵電極圖形；其中，Cr電極的刻蝕是硝酸鈰銨混合溶液，配比為：9ml高氯酸+25g硝酸鈰銨+100ml去離子水，刻蝕時間大約為25s；電極圖形制備好以后，用丙酮超聲去膠，接著用乙醇和去離子水清洗，每種溶劑超聲6-8min。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，步驟1包括：該柔性襯墊為塑料襯墊，其厚度為50μm；將塑料襯底放在燒杯中清洗，先用清洗液洗塑料襯底的表面，用清水沖洗干凈，接著放在丙酮、乙醇、去離子水中分別超聲清洗30min，這個過程重復(fù)一次；接著用氮氣槍吹干襯底，放在250℃的熱板上烘烤10min左右，去除存留的水和有機溶劑。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，還包括：將進行隔離層處理后的襯底固定在玻璃板上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，柵絕緣層采用SiNx材料；所述柵電極采用Cr材料；源極、漏極采用ITO材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，步驟5包括：半導(dǎo)體層IGZO采用磁控濺射制備，制備好的IGZO薄膜經(jīng)過涂膠、光刻、顯影和刻蝕工藝制備圖形，刻蝕液采用濃鹽酸和去離子水的配比液，具體比例為36.5％HCl∶H2O＝1∶3，該比例為體積比，刻蝕時間大概為10s-15s。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，源漏電極采用ITO材料，通過磁控濺射制備薄膜，源漏電極是采用lift-off工藝來制備電極圖形。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，步驟7中，保護層采用PECVD制備的SiO2薄膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，絕緣層和保護層采用RIE干法刻蝕工藝，刻蝕完后，清洗去膠，然后進行電性能的測試。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在制備柔性IGZO薄膜晶體管過程中，沉積溫度從初始的270℃降低到后期的240℃；保護層的沉積功率從20W降低到10W；SiNx絕緣層的沉積厚度從200nm降低到130nm；柵電極Cr薄膜：平均電阻率為19.6μΩ·cm，退火后的電阻率為17.7μΩ·cm，薄膜電阻率的均勻度在±10％；IGZO薄膜，呈現(xiàn)非晶結(jié)構(gòu)，可見光的透過率達到80％以上，In∶Ga∶Zn的原子比為10∶10∶3。