[發(fā)明專利]一種用于測(cè)試SiNx絕緣層的MIM結(jié)構(gòu)的制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110267139.9
• 申請(qǐng)日: 2011-09-09
• 公開（公告）號(hào): CN102832103A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王彬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東中顯科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;G01R31/26
• 代理公司: 北京瑞恒信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11382
• 代理人: 曹津燕

1.一種用于測(cè)試SiNx絕緣層的MIM結(jié)構(gòu)的制造方法，包括下述步驟：

步驟1、玻璃襯底的清洗；

步驟2、制作下電極；

步驟3、制作柵絕緣層；

步驟4、制作上電極圖形。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟1中，先用清洗液洗襯底的表面，用清水沖洗干凈，接著放在丙酮、乙醇、去離子水中分別超聲清洗30min，此過程重復(fù)一次。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在步驟2中，選用鉻(Cr)作為下電極金屬材料，使用磁控濺射的方法制備；金屬層制作完成后，利用光刻技術(shù)，刻出相對(duì)應(yīng)的下電極圖形；Cr的腐蝕液用的是硝酸鈰銨混合溶液。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在步驟3中，沉積氮化硅的時(shí)候，用玻璃條壓住下電極的下部分，防止鍍上氮化硅薄膜，使得Cr電極裸露在外面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在步驟4中，選用鉻(Cr)作為上電極金屬材料，上下電極的掩膜版相同，上下電極的掩膜板轉(zhuǎn)動(dòng)90°。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的方法，其特征在于，該柵絕緣層覆蓋在整個(gè)下電極上，并與玻璃襯墊緊密接觸，該上電極呈分離的塊狀等間隔的位于該柵絕緣層的上部；上下電極的分離塊一一對(duì)應(yīng)。