[發明專利]濕蝕刻裝置及方法有效
| 申請號: | 201110267109.8 | 申請日: | 2011-09-09 |
| 公開(公告)號: | CN102315092A | 公開(公告)日: | 2012-01-11 |
| 發明(設計)人: | 鄭文達 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/02 |
| 代理公司: | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287 | 代理人: | 胡海國 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 蝕刻 裝置 方法 | ||
技術領域
本發明涉及蝕刻技術領域,尤其涉及一種濕蝕刻裝置及方法。
背景技術
液晶顯示器(Liquid?Crystal?Display,LCD)是利用液晶材料的特性來顯示圖像的一種平板顯示裝置(Flat?Panel?Display,FPD),其相較于其他顯示裝置而言具輕薄、低驅動電壓及低功耗等優點,已經成為整個消費市場上的主流產品。現今液晶顯示面板的制作過程中,大致可分為前段矩陣(Array)工藝、中段成盒(Cell)工藝及后段模塊化(Module)工藝。前段的矩陣工藝為生產薄膜式晶體管(TFT)陣列基板及彩色濾光片(CF)基板;中段成盒工藝則將TFT基板與CF板組合,并兩者之間注入液晶并切割符合產品尺寸的面板;后段模塊化工藝則為組裝的面板與背光模塊、面板驅動電路、外框等的工藝。
在矩陣工藝中,包括在玻璃基板上沉積金屬層,并通過濕蝕刻的方式將其蝕刻成導線。在濕蝕刻技術中,一般包括正向向下蝕刻與側蝕刻兩種特性,這兩種蝕刻的速率將決定蝕刻完成后導線的側向曲度,側向曲度為導線的側面與玻璃基板之間的夾角,夾角越小,側向曲度越大。而導線的側向曲度會影響下一道鍍膜制程的膜覆蓋貼合程度。蝕刻后的導線一般要求側向曲度大,這樣下一道的覆蓋率會比較好,即導線的側面與玻璃基板的夾角小,下一道鍍膜制程的覆蓋率比較好。
但是,在蝕刻液噴灑到玻璃基板上后,蝕刻液對玻璃基板上沉積的金屬層進行蝕刻,由于蝕刻液的蝕刻為等向性,即蝕刻液對與之接觸的金屬層各個方向的蝕刻率基本相同,因此現有技術中無法實現蝕刻液對金屬層不同位置的蝕刻率不同,也就無法增大蝕刻后的導線的側向曲度。
發明內容
本發明的主要目的是提供一種玻璃基板的濕蝕刻裝置,旨在增大蝕刻后的導線的側向曲度。
本發明提供了一種玻璃基板的濕蝕刻裝置,包括傳動裝置、承載平臺、振動裝置及基板固定架;其中,
所述基板固定架與所述振動裝置連接;
所述振動裝置固定在所述承載平臺上,驅動所述基板固定架往復運動;
所述承載平臺設置在所述傳動裝置上,隨著所述傳動裝置的運動而移動。
優選地,所述振動裝置為線性馬達或者螺旋式馬達。
優選地,所述振動裝置包括電磁裝置,其與所述基板固定架連接,所述電磁裝置根據外部電路的控制而產生磁性或磁性消失,驅動基板固定架向靠近或者遠離電磁裝置的方向運動。
優選地,所述振動裝置為多個,間隔分布在所述承載平臺上。
優選地,所述基板固定架包括連動桿及固定部,所述連動桿與振動裝置的轉軸樞接,所述固定部與連動桿連接。
優選地,所述固定部為吸盤或夾子。
優選地,所述承載平臺上還設有氣浮裝置或滾珠。
優選地,所述傳動裝置為滾輪或傳動皮帶。
本發明還提供了一種濕蝕刻方法,包括以下步驟:
將玻璃基板固定在基板固定架上;
控制傳動裝置運動,帶動設置于其上的承載平臺移動;
控制振動裝置工作,驅動固定在承載平臺上的基板固定架進行往復運動。
優選地,執行控制振動裝置工作的步驟的同時,還包括:
啟動氣浮裝置。
本發明通過控制振動裝置驅動玻璃基板在欲加快蝕刻速度的方向上進行往復運動,從而可以使得被蝕刻的材料增加與蝕刻液碰撞的機率,加快其側蝕刻率,由此可增大蝕刻后玻璃基板中導線的側向曲度,進而提高下一道鍍膜制程的貼合率,減少玻璃基板的鍍膜異常。
附圖說明
圖1是本發明濕蝕刻裝置一實施例的結構示意圖;
圖2是圖1中玻璃基板的俯視結構示意圖;
圖3是本發明濕蝕刻裝置另一實施例的結構示意圖;
圖4是本發明濕蝕刻方法一實施例的流程示意圖。
本發明目的的實現、功能特點及優點將結合實施例,參照附圖做進一步說明。
具體實施方式
以下結合說明書附圖及具體實施例進一步說明本發明的技術方案。應當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明,并不用于限定本發明。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





