[發明專利]單晶硅片太陽能電池制造方法及其刻蝕方法

有效

• 申請號: 201110267103.0
• 申請日: 2011-09-09
• 公開（公告）號: CN102403214A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 錢家锜;林育玫;高偉哲;江漪凌
• 申請（專利權）人: 華康半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L31/18
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

1.一種適用于單晶硅片太陽能電池制造方法的刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕方法包含：利用一堿性刻蝕液，刻蝕一單晶硅片的至少一表面，以使所述單晶硅片的所述至少一表面制絨化，其中所述堿性刻蝕液包含：

一堿性化合物，其包含選自氫氧化鈉及氫氧化鉀所組成群組的至少一種化合物；

一醇類化合物；及

一用以釋放貴金屬離子的化合物，且所述貴金屬離子包含選自銀離子、金離子、鉑離子及鈀離子所組成群組的至少一種離子。

2.如權利要求1所述的適用于單晶硅片太陽能電池制造方法的刻蝕方法，其特征在于，所述醇類化合物包含選自異丙醇、乙醇、及丙醇所組成群組的至少一種化合物。

3.如權利要求1所述的適用于單晶硅片太陽能電池制造方法的刻蝕方法，其特征在于，用以釋放貴金屬離子的所述化合物為一銀化合物。

4.如權利要求3所述的適用于單晶硅片太陽能電池制造方法的刻蝕方法，其特征在于，所述銀化合物為銀的鹽類或銀的有機酸鹽類其中一種。

5.如權利要求3所述的適用于單晶硅片太陽能電池制造方法的刻蝕方法，其特征在于，所述用以釋放銀離子的銀化合物包含選自AgClO₃、AgC₂H₃O₂、AgMnO₄及Ag₂8O₄所組成群組的至少一種銀化合物，且其添加量為30ppm～5000ppm。

6.如權利要求3所述的適用于單晶硅片太陽能電池制造方法的刻蝕方法，其特征在于，所述銀化合物包含選自AgNO₃及AgClO₄所組成群組的至少一種銀化合物。

7.如權利要求6所述的適用于單晶硅片太陽能電池制造方法的刻蝕方法，其特征在于，所述銀化合物的添加量為1ppm～100ppm。

8.如權利要求6所述的適用于單晶硅片太陽能電池制造方法的刻蝕方法，其特征在于，所述堿性化合物為氫氧化鈉或氫氧化鉀，且所述氫氧化鈉或氫氧化鉀的添加量為1～4wt％，所述醇類化合物為異丙醇，且所述異丙醇的添加量為2～6volume％，所述銀化合物的添加量為1ppm～100ppm。

9.一種單晶硅片太陽能電池制造方法，其特征在于，所述單晶硅片太陽能電池制造方法包含：

利用一堿性刻蝕液，刻蝕具有第一型的一單晶硅片的至少一表面，以使所述單晶硅片的所述至少一表面制絨化，其中所述堿性刻蝕液包含：一堿性化合物，包含選自氫氧化鈉及氫氧化鉀所組成群組的至少一種化合物；一醇類化合物；一用以釋放貴金屬離子的化合物，且所述貴金屬離子包含選自銀離子、金離子、鉑離子及鈀離子所組成群組的至少一種離子；

將具有第二型的多數的雜質，摻雜于所述單晶硅片內，以形成一第一型區域、一第二型區域、以及位于所述第一型區域及所述第二型區域間的一第一型與第二型界面；

使所述單晶硅片的所述第一型區域及所述第二型區域的一邊緣呈無電性短路狀態；

對所述單晶硅片的所述至少一表面進行刻蝕，以去除所述至少一表面上的一玻璃結構；

形成一抗反射層于所述單晶硅片上；

形成一電極結構于所述單晶硅片上，藉以使所述第一型區域及所述第二型區域，透過所述電極結構及一負載，形成一電流回路。

10.如權利要求9所述的單晶硅片太陽能電池制造方法，其特征在于，所述用以釋放貴金屬離子的化合物為一銀化合物。

11.如權利要求10所述的單晶硅片太陽能電池制造方法，其特征在于，所述用以釋放銀離子的銀化合物包含選自AgClO₃、AgC₂H₃O₂、AgMnO₄及Ag₂SO₄所組成群組的至少一種銀化合物，且其添加量為30ppm～5000ppm。

12.如權利要求10所述的單晶硅片太陽能電池制造方法，其特征在于，所述用以釋放銀離子的銀化合物包含選自AgNO₃及AgClO₄所組成群組的至少一種銀化合物。