[發明專利]有機發光顯示裝置有效
| 申請號: | 201110266740.6 | 申請日: | 2011-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN102856341A | 公開(公告)日: | 2013-01-02 |
| 發明(設計)人: | 林載翊;樸源祥;安以埈;金起范 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓明星;金光軍 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 | ||
1.一種有機發光顯示裝置,其特征在于,包括:
有機發光元件,具有像素電極、面對所述像素電極而布置的對向電極、夾設于所述像素電極與所述對向電極之間的有機發光層;
第一偏光板,布置于所述有機發光元件執行發光的一側;
第二偏光板,面對所述第一偏光板而布置;以及
光學補償部件,夾設于所述第一偏光板與所述第二偏光板之間。
2.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述第一偏光板的吸收軸和所述第二偏光板的吸收軸一致。
3.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,還具備夾設于所述有機發光元件與所述第一偏光板之間的相位延遲層。
4.如權利要求3所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述相位延遲層為一個1/4波長板。
5.如權利要求3所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述相位延遲層為一個1/4波長板和一個1/2波長板。
6.如權利要求3所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,還具備夾設于所述有機發光元件與所述相位延遲層之間的包封單元。
7.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述光學補償部件由從A-板、C-板以及雙軸性相位差板組成的組中所選擇的某一個構成,或者由這些板的組合而構成,
其中,A-板為滿足nx≠ny=nz,C-板為滿足nx=ny≠nz,雙軸性相位差板為滿足nx≠ny≠nz的光學補償部件,nx和ny為朝面上的x方向和y方向的折射率,nz為厚度方向的折射率。
8.如權利要求7所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述光學補償部件為兩個A-板。
9.如權利要求8所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述兩個A-板相互垂直相交,且面內相位延遲值為150nm至300nm,
面內相位延遲值(Rin)根據下述關系式而定義,其中nx和ny為朝面上的x方向和y方向的折射率,d為板的厚度,
Rin=d×(nx-ny)。
10.如權利要求7所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述光學補償部件為一個A-板。
11.如權利要求10所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述A-板的面內相位延遲值為500nm至700nm。
12.如權利要求7所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述光學補償部件為一個C-板。
13.如權利要求12所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述C-板的厚度方向相位延遲值為150nm至250nm
厚度方向相位延遲值(Rth)根據下述關系式而定義,其中nx和ny為朝面上的x方向和y方向的折射率,nz為厚度方向的折射率,d為板的厚度,
Rth=[{(nx+ny)/2}-nz]×d。
14.如權利要求7所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述光學補償部件為一個雙軸性相位差板。
15.如權利要求14所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述雙軸性相位差板的面內相位延遲值為100nm至150nm。
16.如權利要求7所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述光學補償部件為兩個雙軸性相位差板。
17.如權利要求16所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述兩個雙軸性相位差板相互垂直相交,且面內相位延遲值為50nm至300nm。
18.如權利要求7所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述光學補償部件為從所述有機發光元件依次布置的一個A-板和一個C-板。
19.如權利要求7所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述光學補償部件為從所述有機發光元件依次布置的一個雙軸性相位差板和一個C-板。
20.如權利要求7所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述光學補償部件為從所述有機發光元件依次布置的一個A-板和一個雙軸性相位差板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





