[發明專利]紅光發射熒光物質及使用其的光發射器件有效
| 申請號: | 201110266293.4 | 申請日: | 2011-09-09 |
| 公開(公告)號: | CN102399557A | 公開(公告)日: | 2012-04-04 |
| 發明(設計)人: | 岡田葵;福田由美;松田直壽;三石巌;布上真也;惠子·阿爾博薩德;加藤雅禮 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | C09K11/80 | 分類號: | C09K11/80;C09K11/64;H01L33/50 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 李躍龍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 紅光 發射 熒光 物質 使用 器件 | ||
1.熒光物質,其由下式(1)表征:
(M1-xECx)aM1bAlOcNd????????????????????(1)
其中M是選自IA族元素、IIA族元素、IIIA族元素、IIIB族元素、稀土元素和IVA族元素的元素;EC是選自Eu、Ce、Mn、Tb、Yb、Dy、Sm、Tm、Pr、Nd、Pm、Ho、Er、Cr、Sn、Cu、Zn、As、Ag、Cd、Sb、Au、Hg、Tl、Pb、Bi和Fe的元素;M1不同于M并且選自四價元素;并且x、a、b、c和d是分別滿足條件:0<x<0.2、0.55<a<0.80,2.10<b<3.90、0<c≤0.25和4<d<5的數;以及
當由在250-500nm波長范圍內的光激勵時,發射在620-670nm波長范圍內具有峰值的光。
2.根據權利要求1的熒光物質,其中式(1)中所述M1為Si。
3.根據權利要求1的熒光物質,其中式(1)中所述M是選自Li、Na、K、Mg、Ca、Sr、Ba、B、In、Ga、Y、Sc、Gd、La、Lu和Ge的元素。
4.根據權利要求1的熒光物質,其中式(1)中所述b是滿足條件:2.1<b<2.5的數。
5.根據權利要求1的熒光物質,其中式(1)中所述c是滿足條件:0.05<c≤0.21的數。
6.根據權利要求1的熒光物質,其具有屬于正交晶系的晶體結構。
7.根據權利要求1的熒光物質,包含這樣的組分,其通過使用CuKα的特定X-射線測得的XRD圖譜同時在七個或更多個位置處顯示出衍射峰,所述位置選自如下十一個位置:15.0-15.25°、23.1-23.20°、24.85-25.05°、26.95-27.15°、29.3-29.6°、30.9-31.1°、31.6-31.8°、33.0-33.20°、35.25-35.45°、36.1-36.25°和56.4-56.65°,就衍射角(2θ)而言。
8.光發射器件,其包含根據權利要求1的熒光物質(R)和能夠激勵所述熒光物質的光發射元件。
9.根據權利要求8的器件,其中
所述光發射元件是在250-500nm波長范圍內發出光的光發射元件(S1),并且
還結合另一種熒光物質(Y),其在由所述光發射元件(S1)的光激勵下發射在540-580nm波長范圍內具有峰值的光。
10.根據權利要求9的器件,其中所述熒光物質(Y)為Y3Al5O12:Ce3+。
11.根據權利要求8的器件,其中
所述光發射元件是在250-430nm波長范圍內發出光的光發射元件(S2),
還結合另一種熒光物質(Y),其在由所述光發射元件(S2)的光激勵下發射在540-580nm波長范圍內具有峰值的光,并且
又結合又一種熒光物質(B),其在由所述光發射元件(S2)的光激勵下發射在400-490nm波長范圍內具有峰值的光。
12.根據權利要求11的器件,其中所述熒光物質(Y)為Y3Al5O12:Ce3+。
13.根據權利要求11的器件,其中所述熒光物質(B)選自(Ba,Eu)MgAl10O17、(Sr,Ca,Ba,Eu)10(PO4)5C12和(Sr,Eu)Si9Al19ON31。
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