[發明專利]帶金屬敏感夾層的器件深槽刻蝕方法

有效

• 申請號: 201110266111.3
• 申請日: 2011-09-08
• 公開（公告）號: CN102344113A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 楊海波;馬清杰;呂宇強
• 申請（專利權）人: 上海先進半導體制造股份有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳亮

1.一種帶金屬敏感夾層的器件深槽刻蝕方法，包括步驟：

提供硅襯底(001)，其上形成有緩沖層(002)；

在所述緩沖層(002)上淀積金屬敏感層(003)；

利用光刻及金屬干法刻蝕工藝將所述金屬敏感層(003)圖形化，直至露出所述緩沖層(002)，形成金屬線間低臺階(004)、金屬管腳焊墊區域(005)和金屬反應線(006)；

在所述緩沖層(002)和圖形化的所述金屬敏感層(003)表面淀積鈍化層(007)；

在所述鈍化層(007)表面形成用于深槽刻蝕的光刻膠掩模并作圖形化，所述光刻膠掩模的圖形與其下所述金屬線間低臺階(004)的位置相對應；

以所述光刻膠為掩模，依次刻蝕所述鈍化層(007)和所述緩沖層(002)，直至露出所述硅襯底(001)，形成深槽(008)；

對所述深槽(008)底部的所述硅襯底(001)進行深槽刻蝕，在所述硅襯底(001)中形成體硅深槽(009)。

2.根據權利要求1所述的器件深槽刻蝕方法，其特征在于，所述硅襯底(001)為普通單晶硅襯底。

3.根據權利要求1所述的器件深槽刻蝕方法，其特征在于，所述緩沖層(002)為氧化硅。

4.根據權利要求1所述的器件深槽刻蝕方法，其特征在于，所述緩沖層(002)通過在高溫下在所述硅襯底(001)表面生長一層熱氧化層而形成。

5.根據權利要求4所述的器件深槽刻蝕方法，其特征在于，所述熱氧化層的厚度為

6.根據權利要求5所述的器件深槽刻蝕方法，其特征在于，所述高溫為1000℃。

7.根據權利要求1所述的器件深槽刻蝕方法，其特征在于，所述金屬敏感層(003)的厚度為

8.根據權利要求7所述的器件深槽刻蝕方法，其特征在于，所述金屬敏感層(003)為敏感金屬單質、金屬氧化物或者氮化物。

9.根據權利要求8所述的器件深槽刻蝕方法，其特征在于，所述敏感金屬單質包括鋁、銅、鉑、金。

10.根據權利要求1所述的器件深槽刻蝕方法，其特征在于，所述鈍化層(007)是通過后道PECVD方法淀積的。

11.根據權利要求10所述的器件深槽刻蝕方法，其特征在于，所述鈍化層(007)的厚度為4μm。

12.根據權利要求1所述的器件深槽刻蝕方法，其特征在于，所述深槽刻蝕的方法為深反應離子刻蝕法。

13.根據權利要求12所述的器件深槽刻蝕方法，其特征在于，所述體硅深槽(009)的深度為5～100μm。

14.根據權利要求13所述的器件深槽刻蝕方法，其特征在于，所述體硅深槽(009)的深度為10～30μm。