[發(fā)明專利]基于微孔微電極陣列的高通量細(xì)胞電融合微流控芯片裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110265663.2 | 申請日： | 2011-09-08 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102296028A | 公開（公告）日： | 2011-12-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 胡寧;錢詩智;朱祥佑 | 申請（專利權(quán)）人： | 嶺南大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán) |
| 主分類號(hào)： | C12M1/42 | 分類號(hào)： | C12M1/42 |
| 代理公司： | 重慶華科專利事務(wù)所 50123 | 代理人： | 康海燕 |
| 地址： | 韓國慶尚北道慶山*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 微孔 微電極 陣列 通量 細(xì)胞 融合 微流控 芯片 裝置 | ||
1.一種基于微孔微電極陣列的高通量細(xì)胞電融合微流控芯片裝置，其特征在于：它由微電極微孔陣列芯片和帶頂層電極的微流控蓋片組成；
所述微電極微孔陣列芯片是采用微加工技術(shù)在石英基底層上從下至上依次加工微電極陣列層和多聚物微孔陣列層而構(gòu)成；所述多聚物微孔陣列層上的微孔與微電極陣列層上的微電極一一對應(yīng)；所述多聚物微孔陣列層的厚度略小于目標(biāo)細(xì)胞直徑，以控制目標(biāo)細(xì)胞在微孔內(nèi)部的單層排布；
所述帶頂層電極的微流控蓋片上設(shè)有進(jìn)樣口和出樣口，在微流控蓋片的下表面設(shè)有與微電極陣列層上的電極區(qū)域面積一致的凹腔，進(jìn)樣口和出樣口位于凹腔的兩端，進(jìn)行細(xì)胞懸浮液的進(jìn)樣、通過和出樣；在微流控蓋片下表面濺射有一層金屬薄膜，形成頂層電極；
所述帶頂層電極的微流控蓋片蓋在微電極微孔陣列芯片上，微電極微孔陣列芯片上的微電極和微孔陣列區(qū)域與微流控蓋片的凹腔相吻合；
所述微電極陣列層和頂層電極均留出有與外界電信號(hào)連接的鍵合點(diǎn)，外界正弦電信號(hào)分別加載于微電極陣列層與頂層電極上，在微孔及微孔頂部形成一電場分布，使微孔內(nèi)部單層排布的目標(biāo)細(xì)胞與上部凹腔中的通過的目標(biāo)細(xì)胞形成配對，實(shí)現(xiàn)高效的一對一電融合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于微孔微電極陣列的高通量細(xì)胞電融合微流控芯片裝置，其特征在于：所述微電極為圓盤形，形成M????????????????????????????????????????????????N的微電極陣列，各微電極之間采用引線連接，微電極陣列邊緣有鍵合點(diǎn)，微電極、引線、鍵合點(diǎn)的材質(zhì)一致。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于微孔微電極陣列的高通量細(xì)胞電融合微流控芯片裝置，其特征在于：所述微電極的直徑為4-6微米，微電極間間距為40微米，各微電極之間的引線寬度為2-4微米，鍵合點(diǎn)面積為24?mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于微孔微電極陣列的高通量細(xì)胞電融合微流控芯片裝置，其特征在于：微電極、引線、鍵合點(diǎn)的材質(zhì)選用金、鉑等導(dǎo)電性優(yōu)異、生物相容性良好，具有極強(qiáng)抗氧化、抗腐蝕能力的惰性金屬。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4所述的基于微孔微電極陣列的高通量細(xì)胞電融合微流控芯片裝置，其特征在于：采用微電極陣列層是采用濺射、蒸發(fā)等工藝加工于石英基底層上，厚度在0.5-1微米間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4所述的基于微孔微電極陣列的高通量細(xì)胞電融合微流控芯片裝置，其特征在于：所述多聚物微孔陣列層選用光敏聚酰亞胺通過光刻形成微孔陣列圖形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4所述的基于微孔微電極陣列的高通量細(xì)胞電融合微流控芯片裝置，其特征在于：多聚物微孔陣列層的厚度在8-15微米之間，微孔的直徑在8-15微米之間，以控制在微孔內(nèi)部目標(biāo)細(xì)胞的單層單個(gè)排布。
8.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4所述的基于微孔微電極陣列的高通量細(xì)胞電融合微流控芯片裝置，其特征在于：所述微流控蓋片的進(jìn)樣口、出樣口直徑為2mm，凹腔的深度為40微米。
9.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4所述的基于微孔微電極陣列的高通量細(xì)胞電融合微流控芯片裝置，其特征在于：所述頂層電極的金屬薄膜選用金、鉑等導(dǎo)電性優(yōu)異，生物相容性良好，具有極強(qiáng)抗氧化、抗腐蝕能力的惰性金屬，采用濺射、蒸發(fā)等工藝加工于微流控蓋片上，厚度在0.5-1微米。
10.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4所述的基于微孔微電極陣列的高通量細(xì)胞電融合微流控芯片裝置，其特征在于：?所述微流控蓋片選用石英玻璃、硅片材料制作。
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