[發明專利]半導體發光元件

有效

• 申請號: 201110265519.9
• 申請日: 2011-09-08
• 公開（公告）號: CN102760815A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 西川幸江;山崎宏德;古木勝義;片岡敬
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 楊謙;胡建新

1.一種半導體發光元件，其特征在于，具備：

支撐基板；

第一電極，設置于上述支撐基板之上；

第一導電型層，設置于上述第一電極之上，從上述第一電極側開始依次至少具有：第一接觸層、具有比上述第一接觸層的雜質濃度低的雜質濃度的窗層、以及第一包覆層；

發光層，設置于上述第一導電型層之上；

第二導電型層，設置于上述發光層之上，從上述發光層側開始依次至少具有：第二包覆層、電流擴散層、以及第二接觸層；以及

第二電極，設置于上述第二導電型層之上，具有：細線部，在上述第二接觸層之上延伸；以及焊盤部，設置于未形成上述第二接觸層的區域，與上述細線部電連接；

上述第一接觸層和上述窗層的帶隙能量分別比上述發光層的帶隙能量大，

上述第一接觸層在上述窗層與上述第一電極之間選擇性地設置，

從上方觀察，上述第一接觸層與上述第二接觸層不重疊地設置。

2.如權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，

從上方觀察，上述第一接觸層包括在上述細線部的延伸方向上分散的區域。

3.如權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，

從上方觀察，上述第二接觸層在上述細線部的延伸方向上分散地設置。

4.如權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，

還具備絕緣層，該絕緣層在上述窗層與上述第一電極之間的未設置上述第一接觸層的區域，以與上述窗層和上述第一電極相接觸的方式設置。

5.如權利要求2所述的半導體發光元件，其特征在于，

還具備絕緣層，該絕緣層在上述窗層與上述第一電極之間的未設置上述第一接觸層的區域，以與上述窗層和上述第一電極相接觸的方式設置。

6.如權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，

上述第一導電型層的厚度比上述第二導電型層的厚度小。

7.如權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，

上述第一電極具有：

透明導電膜，與上述第一接觸層相接觸，含有摻錫氧化銦、氧化鋅、氧化錫中的某個；以及

反射金屬層，設置于上述透明導電膜與上述支撐基板之間，能夠反射來自上述發光層的光。

8.如權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，

上述第一導電型層的與上述第一電極相接觸一側的面包括：由選擇性地設置的上述第一接觸層構成的凸部、以及上述凸部周圍的作為底面的上述窗層。

9.如權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，

上述第二導電型層的表面之中的未設置上述第二電極的區域具有凹凸結構。

10.如權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，

上述發光層含有In_xGa_1-xN，其中，0≤x≤1，

上述窗層和上述第一接觸層含有Al_yGa_1-yN，其中，0≤y≤1。