[發明專利]一種解決高磷濃度PSG薄膜表面霧狀顆粒的工藝方法有效
| 申請號： | 201110265302.8 | 申請日： | 2011-09-08 |
| 公開（公告）號： | CN102417306A | 公開（公告）日： | 2012-04-18 |
| 發明（設計）人： | 顧梅梅;王科;陳建維;張旭升 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | C03C17/00 | 分類號： | C03C17/00 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 解決 濃度 psg 薄膜 表面 霧狀 顆粒 工藝 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種解決高磷濃度PSG薄膜表面霧狀顆粒的工藝方法，其特征在于，主要包括以下步驟：??
在反應腔室內的等離子體環境中通入氧氣，使所述等離子體與氧氣混合，利用等離子體的能量，使得氧氣與PSG薄膜中的不穩定的磷原子發生反應，形成位于PSG薄膜表面的一層鈍化膜，以防止PSG薄膜中磷與空氣中的氫、氧發生反應。
2.根據權利要求1所述的工藝方法，其特征在于，向所述反應腔室中通入氧氣的過程中，在所述反應腔室的頂部所通入的氧氣的流量為350sccm，在所述反應腔室的側壁所通入的氧氣的流量為150sccm，以保障所述反應腔室內氧氣均勻分布。
3.根據權利要求1所述的工藝方法，其特征在于，所述摻雜磷的硅玻璃為高密度等離子體化學氣象淀積法所生成，并且所摻雜的磷的濃度不低于9%。
4.根據權利要求1所述的工藝方法，其特征在于，在所述反應腔室中產生等離子體的過程中，在所述反應腔室的頂部所設置的射頻功率為2500W，在所述反應腔室的側壁所設置的射頻功率為1000W，在所述反應腔室的底部所設置的射頻功率為5500W，以保障所述反應腔室內等離子體均勻分布。
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