[發明專利]一種用于監測離子注入劑量的方法無效
| 申請號： | 201110265264.6 | 申請日： | 2011-09-08 |
| 公開（公告）號： | CN102446783A | 公開（公告）日： | 2012-05-09 |
| 發明（設計）人： | 俞柳江 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 監測 離子 注入 劑量 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于監測離子注入劑量的方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟A、在測試硅片中進行離子注入；??
步驟B、在注入有所述離子的測試硅片上生長二氧化硅薄膜；
步驟C、在二氧化硅薄膜上進行一層摻雜的多晶硅薄膜的生長；
步驟D、通過電荷泵方法，對二氧化硅薄膜和測試硅片之間的界面態密度進行測量；
步驟E、根據界面態密度變化監測注入劑量。
2.如權利要求1所述的一種用于監測離子注入劑量的方法，所述注入離子為鍺離子或碳離子。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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