[發(fā)明專利]一種減小半導(dǎo)體器件熱載流子注入損傷的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110265237.9 | 申請日： | 2011-09-08 |
| 公開（公告）號： | CN102446718A | 公開（公告）日： | 2012-05-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 俞柳江 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/265 | 分類號： | H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 減小 半導(dǎo)體器件 載流子 注入 損傷 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種減小半導(dǎo)體器件熱載流子注入損傷的方法，在一硅基板上形成一晶體管，其特征在于，分別對晶體管的漏端和源端進行環(huán)狀注入，使得注入過程中漏端注入與垂直晶體管表面方向的夾角大于源端注入與晶體管表面垂直方向的夾角。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減小半導(dǎo)體器件熱載流子注入損傷的方法，其特征在于，垂直于晶體管表面的方向為y方向，使得對晶體管的漏端和源端進行環(huán)狀注入過程中，注入方向與y方向的夾角不同，進行漏端注入的注入方向與y方向的夾角大于源端注入的注入方向與y方向的夾角。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減小半導(dǎo)體器件熱載流子注入損傷的方法，其特征在于，所述晶體管即可以采用PMOS管，也可以采用NMOS管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減小半導(dǎo)體器件熱載流子注入損傷的方法，其特征在于，環(huán)狀注入所采用的離子為與源漏摻雜反型的離子。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
