[發明專利]氮化鋁陶瓷基板20瓦1dB衰減片無效

申請號：	201110264886.7	申請日：	2011-09-08
公開（公告）號：	CN102361125A	公開（公告）日：	2012-02-22
發明（設計）人：	郝敏	申請（專利權）人：	蘇州市新誠氏電子有限公司
主分類號：	H01P1/22	分類號：	H01P1/22
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	215000 江蘇省蘇州***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	氮化陶瓷 20 db 衰減
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【權利要求書】：

1.一種氮化鋁陶瓷基板20瓦1dB衰減片，其特征在于：其包括一5*5*1MM 的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導線及電阻，所述導線連接所述電阻連接形成衰減電路，所述衰減電路沿所述氮化鋁基板的中心線對稱，所述衰減電路的輸出端、輸入端分別與一焊盤連接，所述兩個焊盤沿所述氮化鋁基板的中心線對稱。

2.根據權利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板20瓦1dB衰減片，其特征在于：所述電阻上印刷有玻璃保護膜。

3.根據權利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板20瓦1dB衰減片，其特征在于：所述導線及玻璃保護膜的上表面還印刷有一層黑色保護膜。

4.根據權利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板20瓦1dB衰減片，其特征在于：所述衰減電路采用TT型電路結構。

5.根據權利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板20瓦1dB衰減片，其特征在于：所述銀漿導線與所述導體層通過接地銀漿連接。

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