[發明專利]大功率氮化鋁陶瓷基板100W-10dB衰減片

無效

• 申請號: 201110264675.3
• 申請日: 2011-09-08
• 公開（公告）號: CN102361120A
• 公開（公告）日: 2012-02-22
• 發明（設計）人: 郝敏
• 申請（專利權）人: 蘇州市新誠氏電子有限公司
• 主分類號: H01P1/22
• 分類號: H01P1/22
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種氮化鋁陶瓷衰減片，特別涉及一種大功率氮化鋁陶瓷基板100W-10dB衰減片。?

背景技術

目前大多數通訊基站都是應用大功率陶瓷負載片來吸收通信部件中反向輸入功率，大功率陶瓷負載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而無法對基站的工作狀況做實時的監控，當基站工作發生故障時無法及時地做出判斷，并對設備沒有保護作用。?

衰減片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向輸入的功率，而且能夠抽取通信部件中部分信號，對基站進行實時監控，對設備有保護作用，但目前國內100W-20dB的氮化鋁陶瓷衰減片，其衰減精度不僅大多只能做到1G頻率以內，少數能做到2G，且衰減精度和設備配備的VSWR較難控制，市場對衰減精度的要求比較高，，當衰減精度達不到要求時或VSWR達不到要求時，輸出端得到的信號不符合實際要求。當頻段高于2G時，國內的衰減片，其衰減精度更將滿足不了要求。?

我們希望的衰減器是一個功率消耗元件，不能對兩端電路有影響，也就是說，與兩端電路都是匹配的。目前市場上的衰減片當使用頻段高于2G時，其衰減精度達不到要求，回波損耗變大，滿足不了2G以上的頻段應用要求。出現上述問題主要是因為國內100W-10dB衰減片的設計原因，并且抗高低溫沖擊性能差。當完成高低溫沖擊實驗后，阻抗和衰減精度偏出了實際要求的?范圍，這樣就使的衰減精度滿足不了要求。?

發明內容

針對上述現有技術的不足，本發明要解決的技術問題是提供一種衰減精度高，能在3G頻段內使用大功率氮化鋁陶瓷基板100W-10dB衰減片。?

為解決上述技術問題，本發明采用如下技術方案：?

一種大功率氮化鋁陶瓷基板100W-10dB衰減片，其包括一氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有導體層，所述氮化鋁基板的正面印刷有數個電阻及銀漿導線，所述銀漿導線連接所述電阻形成衰減電路，所述電阻上印刷有玻璃保護膜。?

優選的，所述銀漿導線及玻璃保護膜的上表面還印刷有一層黑色保護膜。?

優選的，所述導體層由印刷銀漿印刷而成。?

優選的，所述衰減電路采用TT型電路結構。?

優選的，所述銀漿導線與所述導體層通過低溫銀漿連接。?

上述技術方案具有如下有益效果：該大功率氮化鋁陶瓷基板100W-10dB衰減片增大了電阻面積，這樣使得衰減片的抗高低溫沖擊性能增加，使產品性能指標符合要求。同時避免了在輸出端焊接引線時高溫對電阻淬傷，避免了因電阻被淬傷在實際使用過程中會壞掉的風險，改善了電路的設計，使得衰減精度達到了3G以內10±1dB，駐波滿足市場要求，從而使得產品可以應用于3G網絡。?

上述說明僅是本發明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發明的技術手段，并可依照說明書的內容予以實施，以下以本發明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。本發明的具體實施方式由以下實施例?及其附圖詳細給出。?

附圖說明

圖1為本發明實施例正面的結構示意圖。?

圖2為本發明實施例背面的結構示意圖。?

圖3為本發明實施例正面與背面連接的結構示意圖。?

具體實施方式

下面結合附圖對本發明的優選實施例進行詳細介紹。?

如圖1、2所示，該大功率氮化鋁陶瓷基板100W-10dB衰減片包括一氮化鋁基板1，氮化鋁基板1的背面印刷有導體層5，導體層由印刷銀漿印刷而成。氮化鋁基板1的正面印刷有電阻R1、R2、R3、R4、R5及銀漿導線2，銀漿導線2將電阻R1、R2、R3、R4、R5連接起來形成一TT型結構的衰減電路，電阻R1、R2、R3、R4、R5上均印刷有玻璃保護膜3，玻璃保護膜3用于保護電阻R1、R2、R3、R4、R5。在整個電路即銀漿導線2及玻璃保護膜3的上表面還印刷有一層黑色保護膜4，黑色保護膜4可對整個電路進行包括，黑色保護膜4上還可印刷品牌和型號。如圖3所示，銀漿導線2與導體層5通過接地銀漿6連接，這樣整個電路即可導通。?

該大功率氮化鋁陶瓷基板100W-10dB衰減片要求輸入端和接地的阻抗為50±1.5Ω，輸出端和接地端的阻抗為50±1.5Ω。信號從輸入端進入衰減片，經過電阻R1，R2，R5，R3，R4對功率的逐步吸收，使輸出端輸出實際所需要的信號。?