[發明專利]一種適用于光刻工藝的平坦化方法有效
| 申請號： | 201110264528.6 | 申請日： | 2011-09-07 |
| 公開（公告）號： | CN102306632A | 公開（公告）日： | 2012-01-04 |
| 發明（設計）人： | 朱海峰;姜偉;劉帥洪 | 申請（專利權）人： | 中國航天科技集團公司第九研究院第七七一研究所 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60;H01L21/312;H01L23/00;G03F7/00;G03F7/16 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 陸萬壽 |
| 地址： | 710054 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 適用于 光刻 工藝 平坦 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種適用于光刻工藝的平坦化方法，其特征在于：采用旋涂法在基片表面涂覆一層介質層，介質層覆蓋基片表面約20μm高的臺階并使基片表面形成一個平坦的表面，然后將基片經烘干后再使用低粘度系數光刻膠進行光刻，通過濕法腐蝕工藝制作出UBM層，最后在去膠過程中同時去除介質層。
2.如權利要求1所述適用于光刻工藝的平坦化方法，其特征在于：所述介質層的材料為聚酰亞胺。
3.如權利要求1所述適用于光刻工藝的平坦化方法，其特征在于：所述涂覆轉速為500轉/分鐘，涂覆時間為2分鐘；涂覆完成后經100℃烘干，烘干時間為40分鐘。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
