[發(fā)明專利]充放電控制電路以及電池裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110263803.2 | 申請日: | 2011-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN102403758A | 公開(公告)日: | 2012-04-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 櫻井敦司;小池智幸;佐野和亮;前谷文彥 | 申請(專利權(quán))人: | 精工電子有限公司 |
| 主分類號: | H02J7/00 | 分類號: | H02J7/00 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 放電 控制電路 以及 電池 裝置 | ||
1.一種充放電控制電路,其利用一個雙向?qū)ㄐ蛨鲂?yīng)晶體管來控制二次電池的充放電,該充放電控制電路的特征在于,具備:
控制電路,其與上述二次電池的兩端連接,監(jiān)視上述二次電池的電壓;
開關(guān)電路,其具有第一端子和第二端子,根據(jù)上述控制電路的輸出來控制雙向?qū)ㄐ蛨鲂?yīng)晶體管的柵極,
上述第一端子與上述雙向?qū)ㄐ蛨鲂?yīng)晶體管的背柵極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的充放電控制電路,其特征在于,
上述開關(guān)電路由P溝道MOS晶體管和N溝道MOS晶體管構(gòu)成,該P(yáng)溝道MOS晶體管的柵極與上述控制電路的輸出端連接、漏極與上述雙向?qū)ㄐ蛨鲂?yīng)晶體管的柵極連接、源極與上述第二端子連接,該N溝道MOS晶體管的柵極與上述控制電路的輸出端連接、漏極與上述雙向?qū)ㄐ蛨鲂?yīng)晶體管的柵極連接、源極與上述第一端子連接,
上述第一端子與上述雙向?qū)ㄐ蛨鲂?yīng)晶體管的背柵極連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的充放電控制電路,其特征在于,
關(guān)于上述控制電路,負(fù)極電源端子與上述第一端子連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的充放電控制電路,其特征在于,
上述開關(guān)電路由P溝道MOS晶體管和N溝道MOS晶體管構(gòu)成,該P(yáng)溝道MOS晶體管的柵極與上述控制電路的輸出端連接、漏極與上述雙向?qū)ㄐ蛨鲂?yīng)晶體管的柵極連接、源極與上述第一端子連接,該N溝道MOS晶體管的柵極與上述控制電路的輸出端連接、漏極與上述雙向?qū)ㄐ蛨鲂?yīng)晶體管的柵極連接、源極與上述第二端子連接,
上述第一端子與上述雙向?qū)ㄐ蛨鲂?yīng)晶體管的背柵極連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的充放電控制電路,其特征在于,
關(guān)于上述控制電路,正極電源端子與上述第一端子連接。
6.一種電池裝置,其具備:
能夠充放電的二次電池;
一個雙向?qū)ㄐ蛨鲂?yīng)晶體管,其是設(shè)置在上述二次電池的充放電路徑上的充放電控制開關(guān);
權(quán)利要求1~5中任意一項(xiàng)所述的充放電控制電路,其監(jiān)視上述二次電池的電壓,對上述充放電控制開關(guān)進(jìn)行開閉,由此控制上述二次電池的充放電。
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