[發(fā)明專利]混合線條的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110263770.1 | 申請日： | 2011-09-07 |
| 公開（公告）號： | CN102983067A | 公開（公告）日： | 2013-03-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 唐波;閆江 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L21/027 | 分類號： | H01L21/027;G03F7/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京藍(lán)智輝煌知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陳紅 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 混合 線條 制造 方法 | ||
1.一種混合線條的制造方法，包括以下步驟：
A、在底層上依次形成材料層、第一硬掩模層和第二硬掩模層；
B、對第二硬掩模層光刻/刻蝕形成第二硬掩模圖形；
C、在第一硬掩模層上形成光刻膠掩模圖形；
D、以第二硬掩模圖形和光刻膠掩模圖形為掩模，刻蝕第一硬掩模層，形成第一硬掩模圖形；
E、以第一硬掩模圖形為掩模，刻蝕材料層，形成第一線條和第二線條。
2.如權(quán)利要求1的方法，其中，步驟A還包括在底層與材料層之間形成墊層。
3.如權(quán)利要求1的方法，其中，步驟B包括在第二硬掩模層上形成第一光刻膠、采用第一光源對第一光刻膠曝光顯影以形成第一光刻膠圖形、以及以第一光刻膠圖形為掩?？涛g第二硬掩模層形成第二硬掩模圖形。
4.如權(quán)利要求1的方法，其中，步驟C包括在第二硬掩模圖形以及第一硬掩模層上形成第二光刻膠、采用第二光源對第二光刻膠曝光顯影以形成光刻膠掩模圖形。
5.如權(quán)利要求1的方法，其中，第一硬掩模層和第二硬掩模層材質(zhì)不同。
6.如權(quán)利要求1的方法，其中，第一硬掩模層和/或第二硬掩模層包括LTO、PETEOS、PESIN。
7.如權(quán)利要求3或4的方法，其中，第一光源包括i線光源、g線光源、深紫外光源、X射線光源，第二光源包括電子束光源。
8.如權(quán)利要求1的方法，其中，第一線條比第二線條寬。
9.如權(quán)利要求4的方法，其中，刻蝕第一硬掩模圖形之前，還包括圖形檢查和關(guān)鍵尺寸測量的步驟。
10.如權(quán)利要求1的方法，其中，步驟D還包括在刻蝕第一硬掩模圖形的同時(shí)去除第二硬掩模圖形。
11.如權(quán)利要求1的方法，其中，各步刻蝕采用等離子體干法刻蝕。
12.如權(quán)利要求1的方法，其中，底層包括半導(dǎo)體或絕緣體，材料層包括金屬、金屬氮化物、單晶硅、多晶硅、氮化硅。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
